[发明专利]一种半导体晶圆减薄方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆减薄方法，其包括：对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀，腐蚀的深度为第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀，并且对半导体晶圆的整个减薄的作业时间大大减少，从而能够大大降低对半导体晶圆的减薄成本，并提高了减薄效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆减薄方法。

背景技术

晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)。随着半导体芯片不断向高密度、高性能、小型化和轻薄化发展，半导体晶圆的减薄工艺就显得愈加重要。目前，半导体晶圆的减薄工艺主要是：通过化学试剂进行湿法蚀刻来进行晶圆的减薄，其工艺流程需要显影液、定影液以及大量的酸试剂进行酸腐蚀硅片，来达到一定要求的沟槽深度。而采用湿法蚀刻工艺来对半导体晶圆进行减薄，需要大量的化学试剂，会对环境造成污染；而且作业环境比较苛刻，且生产周期较长，生产成本加大，效率低下。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体晶圆减薄方法，其在保证晶圆表面光洁度的前提下，能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀，并且对半导体晶圆的整个减薄的作业时间大大减少，从而能够大大降低对半导体晶圆的减薄成本，并提高了减薄效率。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供了一种半导体晶圆减薄方法，其包括：

对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；

对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；

用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀，腐蚀的深度为第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。

作为上述方案的改进，所述硫酸、氢氟酸和草酸的体积比为：(6～8)：(1～3)：(0.5～1.5)。

作为上述方案的改进，所述硫酸、氢氟酸和草酸的体积比为：7：2：1。

作为上述方案的改进，所述对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，具体为：

用砂轮以向下进给速率4～6μm/s且砂轮转速为3500-45000rpm的磨削方式，对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨。

作为上述方案的改进，进行粗磨时，砂轮的向下进给速率5μm/s，且砂轮转速为40000rpm。

作为上述方案的改进，所述对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，具体为：

用砂轮以向下进给速率7～9μm/s且砂轮转速为4500-55000rpm的磨削方式，对半导体晶圆的待减薄的表面进行精磨。

作为上述方案的改进，进行精磨时，砂轮的向下进给速率8μm/s，且砂轮转速为50000rpm。

作为上述方案的改进，所述腐蚀液的温度为0～-15℃，对所述半导体晶圆的腐蚀时间为3～5分钟。

作为上述方案的改进，所述第一深度为1mm，所述第二深度为200um，所述第三深度为50-100nm。