[发明专利]一种提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法在审
申请号: | 202010035542.8 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111180190A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 杨牧南;钟淑伟;卢耀军;罗三根;吴悦;杨斌 | 申请(专利权)人: | 江西理工大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 张永革 |
地址: | 341000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 烧结 钕铁硼 磁体 磁性 方法 | ||
1.一种提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,包括真空速凝、氢破、气流磨后混粉步骤,在混粉时添加粒径为200-1000 nm的M粉,所述M粉为低熔金属或低熔合金的粉粒。
2.如权利要求1所述的提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,所述低熔金属为Cu、Al、Zn、Sn、Mg或Ga中的一种。
3.如权利要求2所述的提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,所述低熔合金为所述低熔金属中的多种金属形成的合金。
4.如权利要求3所述的提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,
1)所述真空速凝步骤为: 按照磁体的初始合金成分进行熔炼配比,先抽真空,在真空度不大于5 Pa是充入氩气或高纯氮气,气压控制在50-60 kPa之间,将熔融合金液经过水冷铜辊快速冷快制得厚度约为0.2-0.5mm的速凝薄片;
2)所述氢破制粉为:分别将速凝薄片放入氢破炉,在氢气气氛下550-650℃加热6-10h,制得粒径约为200-500 μm的粗粉;
3)所述气流磨步骤为:氢破的粗粉中加入抗氧化剂及润滑剂,气流磨过程中含氧量不大于500 ppm,制得粒径约为3-5 μm的磁粉;
4)所述混粉步骤为:将制得的磁粉与粒径为200-1000 nm的低熔金属纳米粉末M进行充分混合;
还包括:
5)取向压制成型:在惰性气体保护下,对超细合金粉压制,过程中含氧量控制在400ppm及以下;
6)真空烧结:将压制好的块体放入烧结炉,在真空度小于2x10-3环境下进行分级升温烧结,分别在220、330、450、600、720、900℃保温20 min后,升温到1080 ℃进行烧结,然后将烧结试样利用氩气冷却至室温;
7)回火处理:将烧结磁体进行多级回火处理,一级回火:880-920℃保持2-4 h,二级回火:480-520℃保持3-6 h;
8)表面沉积:在对磁体表面进行磨抛、酸洗、碱洗除油、超声波酒精震荡清洗后放入真空干燥箱内进行干燥;随后采用喷涂或涂覆、磁控溅射、贴片以及电泳等方法进行重稀土表面沉积,重稀土膜层厚度30-50 μm;
9)扩散处理:将处理后的磁体放入高真空热处理炉,在真空度低于1×10-3Pa时,进行扩散处理,扩散时间为7小时。
5.如权利要求4所述的提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,步骤3)制得磁粉的平均粒径为4 μm。
6.如权利要求4所述的提升烧结钕铁硼磁体磁性能的方法,其特征在于,所述步骤9)中扩散处理工艺采用分段升温的加热方式进行扩散,升温至880-920℃, 保温7 h,二级退火为 480-520℃, 保温3-5h。
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