[发明专利]一种提高环行器谐波抑制性能的方法及环行器

权利要求书

1.一种提高环行器谐波抑制性能的方法，其特征在于：包括下述步骤：

1）将环行器外加磁场强度加大，使环行器内场比不低于1.6；

2）将环行器中铁氧体基片换为铁氧体-高介电陶瓷复合基片；

3）将环行器中心导体端口匹配输出电路设置为并联1/8～1/4二次谐波波长的开路线加载高介电陶瓷结构；

其中，步骤3)中，各个端口匹配输出电路由电感型输出传输线加载开路传输线构成，且至少有一个开路传输线位于高介电套陶瓷加载的区域，开路传输线的电长度为二次谐波的1/8～1/4波长。

2.根据权利要求1所述的提高环行器谐波抑制性能的方法，其特征在于：步骤2)中，所述铁氧体-高介电陶瓷复合基片由高介电陶瓷环嵌套铁氧体柱片构成。

3.根据权利要求2所述的提高环行器谐波抑制性能的方法，其特征在于：所述铁氧体-高介电陶瓷复合基片为圆柱形。

4.根据权利要求2所述的提高环行器谐波抑制性能的方法，其特征在于：所述高介电陶瓷环的介电常数范围是15-50。

5.一种具有高谐波抑制性能的环行器，包括腔体和位于腔体内的永磁体、接地板、旋磁基片、中心导体和温度补偿片，所述腔体上方设置盖板，其特征在于：所述旋磁基片包括铁氧体和高介电陶瓷环，所述高介电陶瓷环嵌套于所述铁氧体的外周；所述中心导体包括中心结、电感型传输线和输出端口E,在所述铁氧体区域并联谐波1/8～1/4波长的开路线，在所述高介电陶瓷区域并联二次谐波1/8～1/4波长的开路线。

6.根据权利要求5所述的一种具有高谐波抑制性能的环行器，其特征在于，所述高介电陶瓷环的介电常数范围是15-50。