[发明专利]一种低温度系数CMOS基准电压源

权利要求书

1.一种低温度系数的CMOS基准电压源，其特征在于：包括启动电路、基于V_BE的基准电压产生电路、输出电路、基于V_GS的基准电压产生电路依次连接；其中，启动电路与基准源电流镜电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源脱离简并点；基于V_BE的基准电压产生电路产生基于三极管基级-发射极电压的一阶基准电压；基于V_GS的基准电压产生电路产生基于晶体管栅源电压的一阶基准电压；输出电路将双基准电压加权互补，并最终输出基准电压。

2.根据权利要求1所述的一种低温度系数的CMOS基准电压源，其特征在于：启动电路由MOS管M21-MOS管M24组成；M21的源极与电源VDD连接，栅极与M24的漏极连接，并作为启动电路的输出端与基于V_GS的基准源电路的输入端连接；M22的源极与M23的漏极连接，M22的栅极和漏极共接后与M24的栅极和M23的漏极连接；M23和M24的源极与地GND连接，M24的栅极与输出基准电压V_REF连接。

3.根据权利要求1所述的一种低温度系数的CMOS基准电压源，其特征在于：基于V_BE的基准电压产生电路由MOS管M1-M6、三极管Q1-Q3、运放OP、电阻R1和电阻R2组成；M2、M4、M6的源极与电源VDD连接，M2、M4、M6的栅极与运放OP的输出端连接，Q1、Q2、Q3的基级和集电极与地连接；M2的漏极与M1的源极连接，M4的漏极与M3的源极连接，M6的漏极与M5的源极连接；M1、M3、M5的栅极与M1的漏极、OP的正向输入端、电阻R1的上端连接；M3的漏极与OP的反向输入端和三极管Q2的发射极连接；M5的漏极与电阻R2的上端连接；电阻R1的下端与三极管Q1的发射极连接；M5的漏极与电阻R2的上端连接，并作为基于V_BE的基准源电路的输出端与输出电路的输入端连接；电阻R2的下端与三极管Q3的发射极连接。

4.根据权利要求1所述的一种低温度系数的CMOS基准电压源，其特征在于：输出电路由电阻R5和电阻R6组成；电阻R5的左端作为输出电路的输入端与V_BE的基准源电路的输出端；电阻R6的右端作为输出电路的输入端与V_GS的基准源电路的输出端连接；电阻R5的右端和电阻R6左端连接，并作为整个基准源的输出端口。

5.根据权利要求1所述的一种低温度系数的CMOS基准电压源，其特征在于：基于V_GS的基准电压产生电路由MOS管M7-M20、电阻R3以及电阻R4组成；M9、M13、M14、M20的源极与电源VDD连接，M7、M10、M17、M18的源极与地连接；M9、M13、M14的栅极与M13的漏极和M12的源极连接，M20的栅极与漏极共接，并与M19的源极连接；M9的漏极与M8的源极连接，M14的漏极与M15的源极连接；M8、M12、M15的栅极与M12的漏极和M11的源极连接，M19的栅极与漏极共接；M8的漏极与电阻R3的上端连接，并作为基于V_GS的基准源电路的输出端口与输出电路的输入端连接；M15的漏极、M16的漏极和栅极以及M11的栅极连接；M11的源极与电阻R4的的上端连接，M16的源极与M17的漏极连接；电阻R3的下端与M7的漏端连接，电阻R4的下端与M10的漏端连接；M7、M10、M17、M18的栅极、M18的漏极和M19的漏极连接。