[发明专利]一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺

权利要求书

1.一种全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：所述全海深水密连接器包括插座和插头，插座包括钛合金壳体和带导线的铜接触件；该全海深水密连接器的真空硫化制备工艺包括如下步骤：

(1)钛合金壳体和铜接触件的前处理：将钛合金壳体内壁需要灌封及外表面需要硫化的部位进行喷砂处理；将铜接触件表面的镀金层去除，焊杯内壁镀锡处理；

(2)将钛合金壳体及铜接触件涂一层开姆洛克205底涂胶，涂胶厚度8～13μm，然后室温干燥45min；再在钛合金壳体及铜接触件上涂两层开姆洛克220底涂胶，涂第一层开姆洛克220底涂胶后室温干燥45min后，再涂第二层开姆洛克220底涂胶，室温干燥45min，开姆洛克220底涂胶总厚度12.7～25.4μm；环氧树脂支撑块直接涂两层开姆洛克220底涂胶后，固定在钛合金壳体中；

(3)将铜接触件上的导线安装在支撑块的定位孔中，再将铜接触件安装固定到插座模芯的定位针上，然后将模芯及插座整体放置到模具的型腔中；

(4)模具合模后采用螺钉将上模和下模固定，上模上设有注胶口，注胶口处放置加料罐，根据工件的体积计算，将混炼胶投入加料罐中并移至真空硫化机的下平板上；

(5)进行真空硫化处理，处理过程中，加压速度2.5MPa/s，加压压力45kg/cm²，加压时间90s；保压压力40kg/cm²，保压时间1800s；真空度为-0.1MPa；

(6)保压结束后真空硫化结束，启模取出产品。

2.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述喷砂处理用的砂粒粒度为20目，喷砂时间5min。

3.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)中，所述环氧树脂支撑块用于真空灌封，涂胶前用先用120#砂布研磨，至表面泛白粗化即可。

4.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)中，所述钛合金壳体及铜接触件在涂胶前先放入超声波清洗机内选用丙酮进行脱脂处理，晾干后进行涂胶。

5.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：步骤(2)涂胶过程中，湿度小于或等于75％。

6.根据权利要求1所述的全海深水密连接器的真空硫化制备工艺，其特征在于：所述钛合金壳体的材质为TC4钛合金，铜接触件为锡青铜，支撑块为玻璃纤维增强的环氧树脂灌封材料。