[发明专利]一种正焦磷酸铟锶荧光基质材料、荧光材料及其制备和应用

权利要求书

1.一种正焦磷酸铟锶荧光基质材料，其特征在于，其化学式为Sr₂In(PO₄)(P₂O₇)。

2.根据权利要求1所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料，其特征在于，属于单斜晶系，空间群为P 1 21/c 1(No.14)，晶胞参数为a= 6.5832(3) Å， b= 6.8984(3) Å， c= 19.8129(10) Å，β= 99.562(1)°。

3.根据权利要求2所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料，其特征在于，所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料晶胞共有17个晶体学占位： 1个In占4e位置，2个Sr占2种4e位置，3个P占3种4e位置，11个O占11种4e位置。

4.一种权利要求1~3任一项所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，将锶源、铟源、磷酸根源按所述化学式计量比混料得混合料，混合料经多阶段烧结，即得；多阶段烧结的阶段数大于或等于2；

多阶段烧结过程中，第一阶段烧结温度为600-700℃，其他阶段烧结温度为1100-1200℃ 。

5.如权利要求4所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，所述的锶源为锶的氧化物或者可转化成锶氧化物的锶盐；

所述的铟源为铟的氧化物或者可转化成铟氧化物的铟化合物；

磷酸根源为磷酸、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵中的至少一种。

6.如权利要求5所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，所述的锶源为氧化锶、碳酸锶、硝酸锶、硫酸锶中的至少一种；

所述的铟源为氧化铟、硝酸铟、碳酸铟、氢氧化铟中的至少一种。

7.如权利要求4所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，采用湿化学方法进行混料，步骤为：将按化学式计量比配料的锶源、铟源、磷酸根源混合，用酸液溶解，再添加水溶性粘结剂，随后蒸发体系中的溶剂，即得所述的混合料。

8.如权利要求7所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，所述的水溶性粘结剂为淀粉、糊精、聚乙烯醇、羧甲基纤维素中的至少一种；

水溶性粘结剂的用量为锶源重量的2~3倍。

9.如权利要求4所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，多阶段烧结过程中，各阶段烧结完成后经冷却、研磨后再进行下一阶段的烧结。

10.如权利要求9所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，第一阶段烧结时间为10-12h，其他阶段烧结时间为20-24h。

11.如权利要求9所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的制备方法，其特征在于，各阶段的升温速率为3~5℃/min。

12.一种权利要求1~3任一项所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料或权利要求4~11任一项制备方法制得的正焦磷酸铟锶荧光基质材料的应用，其特征在于，采用荧光发光离子对所述的正焦磷酸铟锶荧光基质材料中的In进行掺杂，制得荧光材料；所述的荧光发光离子为Dy³⁺和/或Tm³⁺。

13.一种荧光材料，其特征在于，化学式为Sr₂(In_1-xM_x)(PO₄)(P₂O₇)；所述的M为Tm、Dy中的至少一种；x为0.01~0.1。

14.如权利要求13所述的荧光材料，其特征在于，x为0.03。