[发明专利]一种消除半导体形变的方法在审
| 申请号： | 202010036864.4 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192834A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 胡咏兵 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 半导体 形变 方法 | ||
1.一种消除半导体形变的方法，其特征在于，包括：
将半导体的一面粘接在基板上，并在半导体的另一面覆盖保护膜；
使所述基板的温度升温至第一温度，升温时间为第一预设时间，以进行第一阶段热处理；
在第一阶段热处理结束后，使所述基板以预设降温速度降温至常温，并在所述基板降温至常温后，使所述基板升温至第二温度，升温时间为第二预设时间，以进行第二阶段热处理；
在第二阶段热处理结束后，并当所述基板的温度降低至常温时，去除所述保护膜。
2.如权利要求1所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述使所述基板的温度升温至第一温度，升温时间为第一预设时间，以进行第一阶段热处理，具体为：
通过卤素灯照射所述基板远离所述半导体的一面，以使所述基板的温度瞬间升温至第一温度，升温时间为第一预设时间，以进行第一阶段热处理。
3.如权利要求1或2所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述第一温度为120℃。
4.如权利要求3所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述第一预设时间为15～25分钟。
5.如权利要求1或2所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述预设降温速度为2～3℃/min。
6.如权利要求2所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述在第一阶段热处理结束后，使所述基板以预设降温速度降温至常温，并在所述基板降温至常温后，使所述基板升温至第二温度，升温时间为第二预设时间，以进行第二阶段热处理，具体包括：
在第一阶段热处理结束后，通过卤素灯使所述基板以预设降温速度降温至常温；
在所述基板降温至常温后，通过卤素灯使所述基板升温至第二温度，升温时间为第二预设时间，以进行第二阶段热处理。
7.如权利要求6所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述在所述基板降温至常温后，通过卤素灯使所述基板升温至第二温度，升温时间为第二预设时间，以进行第二阶段热处理，具体为：
在所述基板降温至常温后，通过卤素灯使所述基板由第三温度升到第二温度，升温时间为第二预设时间，以进行第二阶段热处理。
8.如权利要求7所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述第三温度等于所述第一温度。
9.如权利要求6-8任一项所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述第二温度为135℃。
10.如权利要求6-8任一项所述的消除半导体形变的方法，其特征在于，所述第二预设时间为5～10分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010036864.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
