[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

多个字线，分别于第1方向以及与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，并隔著绝缘膜于与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上积层；

多个存储元晶体管，可分别保持数据，在所述第3方向上串联连接，各自的栅极与所述多个字线连接；

位线，与所述多个存储元晶体管的一端连接，并在所述第2方向上延伸；

传感放大器模块，与所述位线连接；以及

源极线，与所述多个存储元晶体管的另一端连接，并至少在所述第1方向上延伸；

在对所述多个存储元晶体管中成为读出对象的1个存储元晶体管的读出动作中，

对所述源极线，

在第1时序施加第1电压；

在所述第1时序之后的第2时序施加比所述第1电压低的第2电压；

在所述第2时序之后的第3时序施加比所述第2电压低的第3电压；

在所述第3时序之后的第4时序施加比所述第3电压低的第4电压；

在所述第4时序之后的第5时序施加比所述第1电压低且比所述第4电压高的第5电压；

所述传感放大器模块在所述第5时序之后的第6时序，通过所述位线而判定成为所述读出对象的存储元晶体管所储存的数据；

与所述读出对象的存储元晶体管的所述栅极连接的字线从所述第1时序到所述第6时序，被施加第6电压；

与所述读出对象的存储元晶体管以外的存储元晶体管的所述栅极连接的字线在所述第1时序到所述第6时序，被施加比所述第6电压高的第7电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述多个存储元晶体管的所述一端与所述位线之间，连接有第1选择晶体管；

在所述多个存储元晶体管的所述另一端与所述源极线之间，连接有第2选择晶体管；

所述第1选择晶体管、所述多个存储元晶体管、以及所述第2选择晶体管形成NAND串。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于还包括：

第1选择线，在所述第1方向上延伸,并连接于所述第1选择晶体管的栅极；以及

第2选择线，至少在所述第1方向上延伸，并连接于所述第2选择晶体管的栅极；

在对所述读出对象的存储元晶体管的读出动作中，

被选择的所述第1选择线及所述第2选择线在所述第1时序到所述第6时序，被施加所述第7电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

在对所述读出对象的存储元晶体管的读出动作中，

所述传感放大器模块在：

从所述第1时序到所述第2时序的期间、

从所述第2时序到所述第3时序的期间、

从所述第3时序到所述第4时序的期间、以及

从所述第4时序到所述第5时序的期间，分别通过所述位线，判定成为所述读出对象的存储元晶体管所储存的数据。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

在对所述读出对象的存储元晶体管的读出动作中，

所述传感放大器模块在：

从所述第1时序到所述第2时序的期间、

从所述第2时序到所述第3时序的期间、

从所述第3时序到所述第4时序的期间、

从所述第4时序到所述第5时序的期间，分别对所述位线进行充电，对所述位线的充电电压的变化值与对所述源极线的施加电压的变化值相同。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

在对所述读出对象的存储元晶体管的读出动作中，

在从所述第1时序到所述第2时序的期间，所述位线中，

对选择位线进行充电，使所述选择位线的电压成为比所述第1电压高的第8电压，并且

对非选择位线进行充电，使所述非选择位线的电压成为所述第1电压。