[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置的清洗方法，包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的内部的工序，

清洗所述排气管的内部的工序包括如下工序：

在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及

在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

还包括如下工序：向所述处理容器的内部供给含有除了氟以外的卤素来作为气体构成元素的处理容器清洗气体，由此清洗所述处理容器的内部，

清洗所述排气管的内部的工序为去除在清洗所述处理容器的内部的工序中沉积于所述排气管的内部的沉积物的工序。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

在清洗所述处理容器的内部的工序之后，实施通过所述第一排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物的工序，之后，实施通过所述第二排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物的工序。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

所述排气管在通过所述第一排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物的工序中的温度、比所述排气管在通过所述第二排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物的工序中的温度低。

5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

所述处理容器在通过所述第一排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物的工序中的温度、比所述处理容器在通过所述第二排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物的工序中的温度低。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

在所述排气管的清洗中被去除的沉积物为包括硅和锗中的至少一个及除了氟以外的卤素的化合物。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置的清洗方法，其特征在于，

所述第二排气管清洗气体为从氢气体与氧气体的混合气体、氨气体、以及氧气体中选择出的一种以上的气体。

8.一种基板处理装置，具备：

处理容器；

排气管，其对所述处理容器的内部进行排气；

开闭阀，其设置于所述排气管的中途；

第一排气管清洗气体供给机构，其向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体；

第二排气管清洗气体供给机构，其向所述处理容器供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体；以及

控制部，其控制所述开闭阀、所述第一排气管清洗气体供给机构以及所述第二排气管清洗气体供给机构，

其中，所述控制部在关闭所述开闭阀的状态下，向所述排气管的下游侧供给所述第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物，

所述控制部在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给所述第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体来去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。