[发明专利]一种银纳米线透明导电薄膜及柔性OLED在审
| 申请号： | 202010038332.4 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111180111A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王帅;甘李;杨建文;周明 | 申请（专利权）人： | 重庆烯宇新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01L51/52 |
| 代理公司： | 重庆上义众和专利代理事务所(普通合伙) 50225 | 代理人： | 谭勇 |
| 地址： | 401420 重庆市綦江*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 透明 导电 薄膜 柔性 oled | ||
1.一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：包括依次排列的柔性基材层、AgNWs层、纳米级厚度的透明银薄膜、热压PEDOT:PSS修饰层。
2.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述透明银薄膜的厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述热压PEDOT:PSS修饰层厚度为50-100nm。
4.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述AgNWs层的厚度为50-100nm。
5.根据权利要求3所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述柔性基材层的厚度为100～130μm。
6.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明导电薄膜，其特征在于：所述柔性基材层为PET基材层、PEN基材层、PDMS基材层或PI基材层。
7.一种柔性OLED，其特征在于：包括权利要求1～6任一项所述的银纳米线透明导电薄膜以及依次位于银纳米线透明导电薄膜上的空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、电子注入层、阴极材料，所述银纳米线透明导电薄膜的AgNWs层作为阳极材料。
8.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述空穴传输层为NPB，50-100nm。
9.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述有机发光材料和电子传输层为Alq3，厚度为50-100nm。
10.根据权利要求1所述的一种柔性OLED，其特征在于：所述电子注入层为LiF，其厚度为0.5-5nm。
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