[发明专利]单晶硅电池及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次采用制绒工艺、扩散工艺和刻蚀工艺对硅基片进行处理；

在经过刻蚀的所述硅基片的正面沉积SiO₂、背面镀膜，以获得已处理硅基片；

采用掩膜法选择性地在所述已处理硅基片正面的第一预设区域溅射银，以形成沉积有银硅掺杂层的溅射坑槽；

去除所述已处理硅基片正面的掩膜；

在所述银硅掺杂层上进行丝网印刷，以形成银电极栅线；

采用掩膜法选择性地在所述已处理硅基片正面的第二预设区域沉积SiNx层；其中，所述第二预设区域为所述已处理硅基片正面除所述第一预设区域以外的区域；

对沉积有SiNx层的所述已处理硅基片进行烧结。

2.根据权利要求1所述的单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述采用掩膜法选择性地在所述已处理硅基片正面的第一预设区域溅射银，以形成沉积有银硅掺杂层的溅射坑槽的步骤，包括：

采用磁控溅射技术以指定电压和指定电流向所述第一预设区域溅射银；

经过预设时长后，停止溅射。

3.根据权利要求2所述的单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述指定电压为0.2KV，所述指定电流为0.1A，所述预设时长为3min。

4.根据权利要求1所述的单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述依次采用制绒工艺、扩散工艺和刻蚀工艺对硅基片进行处理的步骤包括：

将所述硅基片放入碱溶液中，以使所述硅基片的表面形成金字塔状绒面；

将所述硅基片放入充有三氯氧磷的扩散炉内，以使所述硅基片的表面形成PN结；

利用强酸溶液去除所述硅基片的侧壁和背面的所述PN结。

5.根据权利要求1所述的单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述在经过刻蚀的所述硅基片的正面沉积SiO₂、背面镀膜，以获得已处理硅基片的步骤，包括：

采用热氧化法或湿化学法在所述硅基片的正面形成SiO₂层。

6.根据权利要求1所述的单晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述采用掩膜法选择性地在所述已处理硅基片正面的第二预设区域沉积SiNx层的步骤，包括：

采用PEVCD法在所述第二预设区域沉积SiNx层。

7.一种单晶硅电池，其特征在于，包括硅基片，所述硅基片的正面朝远离所述硅基片的方向依次形成有磷扩散层和SiO₂层，所述SiO₂层背向所述磷扩散层的一侧形成有SiNx层和溅射坑槽，所述溅射坑槽内形成有银硅掺杂层，所述银硅掺杂层上设有银电极栅线，所述SiNx层设于所述银电极栅线的外围。

8.根据权利要求7所述的单晶硅电池，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为3nm～6nm，所述SiNx层的厚度为50nm～60nm。

9.根据权利要求7所述的单晶硅电池，其特征在于，所述银电极栅线的横截面形状与所述银硅掺杂层的横截面形状相适应。

10.根据权利要求9所述的单晶硅电池，其特征在于，所述银电极栅线包括正面主栅和正面细栅，所述银硅掺杂层包括与所述正面主栅对应的主银硅掺杂区以及与所述正面细栅对应的细银硅掺杂区，所述主银硅掺杂区的宽度和长度分别大于所述正面主栅的宽度和长度，所述细银硅掺杂区的宽度和长度分别大于所述正面细栅的宽度和长度。