[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 202010038487.8 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111244033B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 赵天龙 | 申请(专利权)人: | 重庆京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 400714 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置,涉及阵列基板的技术领域。该制备方法包括如下步骤:在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层;对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层和第一阻挡膜层进行刻蚀,形成开口槽;在金属膜层上设置一层光刻胶层,对光刻胶层进行图形化;以图形化的光刻胶层和刻蚀后的金属膜层作为掩膜,对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀,形成隔离槽。本申请实施例用以解决现有技术存在的隔离槽的刻蚀深度不够或第一阻挡膜层受到隔离槽的刻蚀的影响而带来刻蚀损失的技术问题。
技术领域
本申请涉及阵列基板的技术领域,具体而言,本申请涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
背景技术
随着AA Hole(AAHole表示AA区打孔,AA区为有效显示区域)全面屏手机的快速发展,高屏占比已经成为当前各大手机厂商的一个重要发展方向。目前,市面上的全面屏主要有刘海屏、水滴屏及挖孔屏。该技术可以把前置摄像头的开孔位置任意摆放,在保持四边超窄边框整体视觉效果的同时,把前置摄像头隐藏在显示屏里,熄屏后达到整体全面屏的效果。AA Hole全面屏技术需要在阵列基板的第一有机膜层刻蚀隔离槽。
但是,现有技术在第一有机膜层的隔离槽的制备过程中,很容易带来隔离槽的刻蚀深度不够或第一阻挡膜层受到隔离槽的刻蚀的影响而带来刻蚀损失,进而带来对发光材料隔离效果不佳的问题。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置,用以解决现有技术存在的隔离槽的刻蚀深度不够或第一阻挡膜层受到隔离槽的刻蚀的影响而带来刻蚀损失的技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法,包括如下步骤:
在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层;第一阻挡膜层和第一有机膜层相层叠;
对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层和第一阻挡膜层进行刻蚀,形成开口槽;开口槽的底部为第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域,开口槽的侧壁包括金属膜层的侧壁和第一阻挡膜层的侧壁;
在金属膜层上设置一层光刻胶层,对光刻胶层进行图形化,对光刻胶层进行图形化,使得图形化的光刻胶层覆盖金属膜层的上表面;
以图形化的光刻胶层和刻蚀后的金属膜层作为掩膜,对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀,形成隔离槽。
在一些实施例中,在第一阻挡膜层远离第一有机膜层的一侧表面设置一层金属膜层之前,还包括:
对第一阻挡膜层上的无机膜层进行刻蚀,使得第一阻挡膜层的待设置金属膜层的区域露出。
在一些实施例中,对与第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层和第一阻挡膜层进行刻蚀,形成开口槽,包括:
对与第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层进行刻蚀,形成开口槽的第一开口;第一开口底部为第一阻挡膜层的待刻蚀区域,第一开口的侧壁为金属膜层的侧壁;
对第一阻挡膜层的待刻蚀区域进行刻蚀,形成开口槽的第二开口;第二开口的底部为第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域,第二开口的侧壁为第一阻挡膜层的侧壁;或者,
对与第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域对应的金属膜层和第一阻挡膜层同时进行刻蚀,形成开口槽。
在一些实施例中,以图形化的光刻胶层和刻蚀后的金属膜层作为掩膜,对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀,形成隔离槽,包括:
以图形化的光刻胶层和刻蚀后的金属膜层作为掩膜,对第一有机膜层的待刻蚀隔离槽的区域进行刻蚀,形成隔离槽,并使得隔离槽的侧壁向第一有机膜层的外侧凸出,形成内凹结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造