[发明专利]开关控制电路、多路选择开关电路及其控制方法

说明书

本申请提供了一种开关控制电路、多路选择开关电路以及多路选择开关控制电路的控制方法。该开关控制电路包括：第一控制开关、第一电容和场效应管开关。本申请提供的技术方案，在第一控制开关断开时，第一电容释放的充电电压可以控制场效应管开关导通，此时由于第一控制开关断开，电源信号无法到达场效应管开关的栅极，故电源噪声无法耦合进场效应管开关的源漏极所在线路，由此在第一电容放电阶段，放电电压可以作为控制信号，控制场效应管开关导通，从而减少电源耦合噪声。

技术领域

本申请涉及电路技术领域，特别涉及一种开关控制电路、多路选择开关电路以及多路选择开关电路的控制方法。

背景技术

在集成电路中，开关可以由MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)来实现，其控制信号为栅极电压。通过在MOSFET的栅极输入高电平或低电平，控制MOSFET的导通和断开。

但是，栅极电压的噪声会通过MOSFET栅源极之间的寄生电容耦合进源漏极所在线路，由此极大地损害信噪比。而开关的栅极电压通常是接到电源或参考地，因此，开关的使用对于降低电源噪声提出了较高的要求。

为减小电源耦合噪声，现有通用的方法是使用高电源抑制比的LDO(低压差线性稳压器)生成电源电压。然而，使用LDO技术降低电源噪声，将会引入静态电流，增加功耗。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种开关控制电路，用以减小电源耦合噪声，提高信号传输质量。

本申请实施例提供了一种开关控制电路，包括：

第一控制开关，用于在导通时传输电源信号；

第一电容，所述第一电容连接所述第一控制开关，用于接收所述电源信号进行充电，并在所述第一控制开关断开时，释放充电电压；

场效应管开关，连接所述第一电容，所述场效应管开关用于接收所述第一电容释放的充电电压控制所述场效应管开关导通。

在一实施例中，所述开关控制电路，还包括：

第二控制开关，连接所述场效应管开关的漏极，用于在所述第一电容充电时导通，在所述第一电容放电时断开；

信号处理电路，并联在所述第二控制开关的两端，所述信号处理电路用于在所述第二控制开关断开时，对所述场效应管开关传输的模拟信号进行处理。

在一实施例中，所述信号处理电路为模拟前端，所述模拟前端包括：

运算放大器，所述运算放大器的反向输入端连接所述场效应管开关的漏极，正向输入端用于输入参考电压；

采样电容，所述采样电容的一端连接所述运算放大器的反向输入端，另一端连接所述运算放大器的输出端；

其中，所述第二控制开关并联在所述采样电容的两端。

本申请实施例还提供了一种多路选择开关电路，包括：

开关阵列，包括多组开关控制电路；

其中，每组开关控制电路包括本申请实施例提供的开关控制电路。

在一实施例中，该多路选择开关电路还包括：

至少一组第二控制开关和信号处理电路；

所述第二控制开关分别连接每组开关控制电路中所述场效应管开关的漏极，用于在所述第一电容充电时导通，在所述第一电容放电时断开；

所述信号处理电路并联在所述第二控制开关的两端，所述信号处理电路用于在所述第二控制开关断开时，对所述场效应管开关传输的模拟信号进行处理。

在一实施例中，所述信号处理电路为模拟前端，所述模拟前端包括：