[发明专利]一种雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：从上到下依次分布的第一接触层、本征吸收层、本征分压层、电荷控制层、倍增层和第二接触层；所述本征分压层与所述电荷控制层和所述倍增层的材料一致；所述电荷控制层为P型掺杂的电荷控制层；

所述本征分压层用于基于电势和电场的之间的关系，在不影响吸收层和倍增层电场的电场相对分布的前提下，增加雪崩光电二极管的厚度，从而降低由于载流子积累产生的空间电荷效应而导致的倍增层的电场下降量，提高雪崩光电二极管的线性度；

所述雪崩光电二极管在工作状态下，所述本征分压层的电场强度高于所述本征吸收层的电场强度、且低于所述倍增层的电场强度。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，通过调整所述本征分压层的厚度，控制雪崩光电二极管的线性度。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，在所述本征吸收层与所述本征分压层之间还包括渐变层，用于减缓所述本征吸收层与所述本征分压层之间的能带不连续。

4.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管为三五族雪崩光电二极管。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一接触层为P型掺杂InAlAs接触层，所述本征吸收层为本征InGaAs吸收层，所述渐变层为P型掺杂InAlGaAs渐变层，所述本征分压层为本征InAlAs分压层，所述电荷控制层为P型掺杂InAlAs电荷控制层，所述倍增层为InAlAs倍增层，所述第二接触层为N型掺杂InAlAs接触层。

6.根据权利要求5所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述本征InAlAs分压层的厚度为100nm-1000nm。

7.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管为硅锗雪崩光电二极管；在所述硅锗雪崩光电二极管中，所述第一接触层为P型掺杂Si接触层，所述本征吸收层为本征掺杂Ge吸收层，所述本征分压层为本征掺杂Si分压层，所述电荷控制层为P型掺杂Si电荷控制层，所述倍增层为本征掺杂Si倍增层，所述第二接触层为N型掺杂Si接触层。