[发明专利]表面处理铜箔、具有所述铜箔的层压板及装置

说明书

一种表面处理铜箔，包括电解铜箔，且该电解铜箔包括辊筒面及沉积面。处理层设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面。处理层包含粗化粒子层，且该表面处理面具有0.1至0.9μm³/μm²范围内的空隙体积(Vv)。此外，表面处理铜箔的氢与氧的总含量为小于或等于300ppm。

技术领域

本发明涉及具有受控的表面特性的电解铜箔。本发明涉及电路板及其类似物，具有低传输损耗的电子信号，且该电路板包括该电解铜箔作为其组件。

背景技术

对于传输大量数据的需求日益增长，需要不断提高电路板上组件之间的传输速度。为达成此等速度，频率范围必需从低于1Mhz增加至1GHz、10GHz甚或更高。于此等较高范围内，电流主要在接近导体表面处流动，这是由于众所周知的“集肤效应(skin effect)”所导致，即高频电流密度于导体表面处为最高的趋势且朝向中心呈指数衰减的趋势。集肤深度(skin depth)承载大约67％的信号，与频率的平方根成反比。因此，在1MHz的集肤深度为65.2μm；在1GHz的集肤深度为2.1μm；而在10GHz的集仅为0.7μm。在较高频率，导体的表面形貌或粗糙度变得愈发重要，因为大约或大于集肤深度的粗糙度将对信号传输造成影响。

超低棱线(Very Low Profile，VLP)铜箔具有非常低的粗糙度。即使在高频下，VLP铜箔提供非常好的信号传输性能。但随着粗糙度降低，铜箔与电路板的层压结构中使用的树脂层的粘合性亦降低，往往导致不想要的脱层。为了与不佳的粘合性及可能的脱层抗衡，特意在该铜箔与树脂接触面进行粗糙化。使用标准方法的粗糙化表面可提供大约数微米的表面粗糙度，且其会影响GHz范围内的任何传输。由上可知，对于铜箔设计而言，其一方面需要较高的粗糙度以确保足够的粘合性，另一方面却又需要较低的粗糙度以尽可能减少传输损耗，此两种相对矛盾的需求使得铜箔设计深受限制。

尽管VLP铜箔于传输损耗方面提供改善，VLP铜箔的粗糙化仍需要改善，以保持传输损耗的优点，同时改善粘合特性。因此，对于具有低传输损耗及良好粘合强度的用于制造电路板的铜箔仍存在需求。

发明内容

总的来说，本发明涉及一种铜箔，例如可用作电路板中的导体的电解铜箔。铜箔业经制备为具有受控的表面特性，该铜箔即使在高频率下亦可提供低传输损耗，且对电路板中的树脂层具有高粘合性。

在第一方面，本发明包含一种表面处理铜箔，包含电解铜箔及处理层。该电解铜箔包括辊筒面及沉积面。处理层设置于辊筒面及沉积面中的一个上，并提供表面处理面，其中，该处理层包含粗化粒子层。该表面处理面具有0.1至0.9μm³/μm²范围内的空隙体积(voidvolume，Vv)，且该表面处理铜箔的氢与氧的总含量小于或等于300ppm。

任选地，该表面处理铜箔的氢与氧的总含量为至少50ppm。任选地，空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm³/μm²。任选地，该粗化粒子层包含铜粗化粒子。

任选地，根据本发明的第一方面，该表面处理面还具有0.08至0.84μm³/μm²范围内的核心部空隙体积(core void volume，Vvc)。任选地，该表面处理面还具有0.01至0.07μm³/μm²范围内的波谷部空隙体积(dale void volume，Vvv)。

任选地，根据本发明的第一方面，该处理层还包含阻障层，包括镍，且该处理层的镍面密度(nickel areal density)为40至200μg/dm²范围内。任选地，该镍面密度为小于或等于120μg/dm²。任选地，该处理层还包含阻障层，包括镍，且该阻障层的空隙体积(Vv)为小于或等于0.7μm³/μm²。