[发明专利]高纯锗探测器

权利要求书

1.一种高纯锗探测器，包括：

高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；

第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和

导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域，

其中，所述导电保护环设置于所述本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述沟槽的深度在1微米和10微米之间，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，

其中，所述的本征区裸露表面是所述高纯锗晶体的端面，所述导电保护环的半径与被保护的所述端面的半径之比小于或等于1/3。

2.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环与所述第一电极具有大致相同的电位。

3.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括前置放大电路，所述导电保护环与前置放大电路的高阻输入端等电位电连接。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体是N型高纯锗晶体或P型高纯锗晶体。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器是同轴型或点电极型探测器，所述第一电极连接于位于所述端面的中心孔或中心点的第一接触极，第二电极连接于所述高纯锗晶体的外周侧面，所述导电保护环靠近第一电极且与所述第一电极电绝缘。

6.根据权利要求5所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环的中心与所述端面的中心基本上重合。

7.一种高纯锗探测器，包括：

高纯锗晶体，所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面；

第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别与所述高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连；和

导电保护环，所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电极以将所述本征区裸露表面阻隔成内区域和外区域，

其中，所述高纯锗探测器是平面型探测器，所述本征区裸露表面是所述高纯锗晶体的外周侧面，所述第一电极和第二电极分别连接在所述高纯锗晶体的两个端面，所述导电保护环设置于所述本征区裸露表面中的环绕所述第一电极的沟槽中，所述沟槽的宽度小于200微米，所述沟槽的深度在1微米和10微米之间，所述导电保护环是与所述沟槽尺寸匹配的实体金属环或金属镀层，

其中，所述本征区裸露表面在所述导电保护环和所述第一电极之间的面积小于或等于所述本征区裸露表面的总面积的1/3。

8.根据权利要求7所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环靠近所述第一电极且与所述第一电极电绝缘。

9.根据权利要求7所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体是N型高纯锗晶体或P型高纯锗晶体。

10.根据权利要求7所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述导电保护环所在的平面与高纯锗晶体的轴向基本上垂直。