[发明专利]显示装置和有源矩阵基板有效
申请号: | 202010040795.4 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111458938B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 森永润一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 有源 矩阵 | ||
一种显示装置和有源矩阵基板,显示装置的有源矩阵基板和相对基板中的一方具备取向膜和多个间隔物,显示装置还具备包含多个栅极配线遮光部和多个源极配线遮光部的黑矩阵,多个像素区域包含相互相邻的第1像素区域和第2像素区域,位于第1像素区域和第2像素区域之间的第1源极配线在第1像素区域与第2像素区域之间具有第1扩宽部,当从基板的主面的法线方向观看时,第1扩宽部包含与黑矩阵重叠的重叠区域、以及与黑矩阵不重叠的非重叠区域,从1个间隔物以与该间隔物相同的宽度向第1方向侧延伸的间隔物阴影区域包含与黑矩阵重叠的第1区域及与黑矩阵不重叠的第2区域,第1扩宽部的非重叠区域是与间隔物阴影区域的第2区域的至少一部分重叠的。
技术领域
本发明涉及显示装置和有源矩阵基板。
背景技术
具备按每一像素设置有开关元件的有源矩阵基板的显示装置已被广泛地应用。具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor:以下称为“TFT”)作为开关元件的有源矩阵基板被称为TFT基板。此外,在本说明书中,与显示装置的像素对应的TFT基板的部分有时也称为像素区域或者像素。另外,将在有源矩阵基板的各像素中作为开关元件设置的TFT称为“像素TFT”。
近年来,作为TFT的活性层的材料,提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅或多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此,氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能够以高速动作。另外,氧化物半导体膜由比多晶硅膜更简便的工艺形成,因此也能够应用于需要大面积的装置。
液晶显示装置通过在有源矩阵基板与相对基板之间夹持液晶层而构成。在液晶层的有源矩阵基板侧和相对基板侧,分别以与液晶层接触的方式形成取向膜。取向膜限制液晶层中的液晶分子的初始取向(对液晶层没有施加电场的状态的液晶分子的取向)。取向膜被施加了规定液晶分子的初始取向方位轴的取向处理。作为代表性的取向处理,可举出摩擦处理和光取向处理。
另外,在有源矩阵基板与相对基板之间配置用于规定这些基板的间隔(单元间隙)的柱状的间隔物。在配置有间隔物的一方基板中,对以覆盖间隔物的方式形成的取向膜进行取向处理。因此,已知在取向膜中的间隔物上及其周边的区域中,取向限制力与其它区域相比会较低,可能发生液晶分子的取向不良。在本说明书中,将由于间隔物而可能发生取向不良的区域称为“取向不良区域”。例如在专利文献1中,提出了在具备被实施了光取向处理的取向膜的显示装置中,以使得间隔物所致的取向不良区域被黑矩阵遮光的方式来调整间隔物的位置和形状。
专利文献1:特开2015-4808号公报
发明内容
本发明的发明人研究的结果是,根据取向处理方法的不同,有时难以使用黑矩阵充分地对间隔物所致的取向不良区域进行遮光。特别是,在对取向膜进行摩擦处理的情况下,难以既抑制像素开口率的降低,又抑制取向不良区域所致的漏光等缺陷。后面详细描述。
本发明的一实施方式的目的在于提供能够抑制由间隔物造成的显示特性的降低的显示装置或者有源矩阵基板。
本说明书公开了以下项目所记载的显示装置和有源矩阵基板。
[项目1]
一种显示装置,具有多个像素区域,具备有源矩阵基板、与上述有源矩阵基板相对的相对基板、以及配置在上述有源矩阵基板与上述相对基板之间的液晶层,在上述显示装置中,
上述有源矩阵基板具有:
基板;
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