[发明专利]一种离子镀膜与电子束蒸发镀膜结合的镀膜装置及其镀膜方法

权利要求书

1.一种离子镀膜与电子束蒸发镀膜结合的镀膜装置，其特征在于，包括：离子镀膜组件、电子束蒸发镀膜组件、被镀基材、坩埚和真空室，所述真空室左右两侧设置离子镀膜组件，所述真空室的上方设置电子束蒸发镀膜组件，所述被镀基材设置在所述真空室的中部，所述坩埚设置在所述被镀基材的下方。

2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述离子镀膜组件包括电弧靶或磁控溅射靶。

3.一种采用权利要求1或2所述的镀膜装置的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，清洗打底，形成金属过渡层：通过离子镀膜组件，对被镀基材施加负偏压，进行离子轰击清洗打底沉积获得金属过渡层；

步骤2，蒸发镀膜：利用大功率电子束蒸发镀膜方法进行快速沉积镀膜。

4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤1中，采用在被镀基材上施加负偏压，利用离子镀膜组件的蒸发方式产生大量电离的靶材蒸汽，经过偏压电场对离化后靶材蒸汽分子的加速作用后轰击被镀基材表面，对被镀基材表面进行溅射清洗和沉积镀膜打底，形成金属膜层。

5.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，所述施加负偏压后的离子能量为10-1000电子伏。

6.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤1中，形成金属过渡层的靶材能够为适合于离子镀膜的金属靶材、合金靶材或化合物靶材。

7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤2中，在蒸发镀膜的过程中能够继续使用离子镀膜辅助沉积方法。

8.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤2中，在蒸发镀膜的过程中能够利用离子镀膜辅助沉积方法向被镀基材的膜层中掺杂所需金属。

9.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，所述的离子镀膜辅助沉积方法为利用离子镀膜组件轰击清洗打底沉积金属膜层。