[发明专利]一种具有自极化行为的PbZrO3 在审
申请号: | 202010041869.6 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN111223762A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 张天栋;迟庆国;张昌海 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/11502 |
代理公司: | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 刘坤 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 极化 行为 pbzro base sub | ||
1.一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜,其特征在于,包括由PbZrO3薄膜构成的顶膜和由Al2O3薄膜构成的底膜,所述顶膜和底膜经晶化处理相复合。
2.根据权利要求1所述一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜,其特征在于,所述PbZrO3薄膜的厚度为150~400nm,所述Al2O3薄膜的厚度为10~200nm。
3.根据权利要求1或2所述一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜,其特征在于,所述PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜呈现铁电极化特征,其剩余极化强度值为5~42.5μC/cm2。
4.一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜的制备方法,其特征在于,分别制备Al2O3前驱体溶液和PbZrO3前驱体溶液,采用旋涂法利用Al2O3前驱体溶液制备Al2O3薄膜,将所得Al2O3薄膜置于一定温度下预烧处理,在所得Al2O3薄膜上继续旋涂PbZrO3前驱体溶液制备PbZrO3薄膜并得到PbZrO3/Al2O3复合薄膜,将所得PbZrO3/Al2O3复合薄膜置于一定温度下预烧后进行晶化处理,获得晶化的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜。
5.根据权利要求4所述一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述Al2O3前驱体溶液的制备方法为:将乙二醇甲醚和冰醋酸按体积比4:1混合制备溶剂,将异丙醇铝按摩尔体积比0.01~0.05mol:1L溶解在所述溶剂中,60~80℃搅拌30~60min获得澄清溶液A,将其陈化静置24h得到Al2O3前驱体溶液。
6.根据权利要求4或5所述一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述PbZrO3前驱体溶液的制备方法为:将醋酸铅按摩尔体积比0.2~0.4mol:1L溶解在乙二醇甲醚中,60~80℃搅拌30~60min获得澄清溶液B,向冷却至室温的澄清溶液B中滴加与醋酸铅等摩尔量的异丙醇锆,搅拌30~60min后将其陈化静置24h得到PbZrO3前驱体溶液。
7.根据权利要求6所述一种具有自极化行为的PbZrO3/Al2O3异质结构复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述旋涂的转速均为3000~4000r/min,旋涂时间均为10~15s,所述Al2O3薄膜的厚度为10~200nm,所述PbZrO3薄膜的厚度为150~400nm。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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