[发明专利]在晶圆上形成多个图样层的方法以及其曝光装置

权利要求书

1.一种在晶圆上形成多个图样层的方法，前述晶圆包含一参考标记用于形成一电路图样，其特征在于，前述方法包含：

利用曝光一第一光罩的图样至前述晶圆之一第一晶圆层以图样化前述第一晶圆层，其中，前述第一光罩包含一第一光罩标记用于在前述第一晶圆层上形成一第一晶圆层标记；

量测前述第一晶圆层标记相对于前述参考标记之一第一对位参数，其中，前述第一对位参数包含一第一偏移量、一第一缩放量以及一第一旋转量的至少其中之一；

利用曝光一第二光罩的图样至前述晶圆之一第二晶圆层以图样化前述第二晶圆层，其中，前述第二光罩包含一第二光罩标记用于在前述第二晶圆层上形成一第二晶圆层标记；

量测前述第二晶圆层标记相对于前述参考标记之一第二对位参数，其中，前述第二对位参数包含一第二偏移量、一第二缩放量以及一第二旋转量的至少其中之一；

取得一第一加权因子以及一第二加权因子，其中，前述第一加权因子为依据前述第一晶圆层之属性所预设决定，前述第二加权因子为依据前述第二晶圆层之属性所预设决定；

依据一第一参数值与一第二参数值计算一第三光罩之对位设定值，其中，前述第一参数值由前述第一对位参数与前述第一加权因子计算得出，前述第二参数值由前述第二对位参数与前述第二加权因子计算得出；以及

依据前述第三光罩之对位设定值曝光前述第三光罩的图样以图样化前述晶圆之一第三晶圆层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在图样化前述第二晶圆层的过程中，前述第二光罩之第二光罩标记对位于前述第一晶圆层之第一晶圆层标记。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第一加权因子与前述第二加权因子的值介于0到1之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第一加权因子与前述第二加权因子的和为1。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第一参数值为前述第一对位参数与前述第一加权因子之乘积。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第二参数值为前述第二对位参数与前述第二加权因子之乘积。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第三光罩之对位设定值为前述第一参数值与前述第二参数值之和。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，前述第三光罩包含一第三光罩标记，在图样化前述第三晶圆层的过程中，前述第三光罩之第三光罩标记依据前述对位设定值进行对位。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，前述第一偏移量包含一第一X轴偏移量与一第一Y轴偏移量，前述第一缩放量包含一第一X轴缩放量与一第一Y轴缩放量，前述第一旋转量包含一第一X轴旋转量与一第一Y轴旋转量，前述第二偏移量包含一第二X轴偏移量与一第二Y轴偏移量，前述第二缩放量包含一第二X轴缩放量与一第二Y轴缩放量，前述第二旋转量包含一第二X轴旋转量与一第二Y轴旋转量。

10.一种曝光装置，用于将一光罩上的图样转移到一晶圆，其特征在于，其包含：

一照明模块，用于利用一光源对前述光罩进行照明；

一光罩载台，用于承载前述光罩；

一投影模块，用于将前述光罩的图样投影到前述晶圆；

一晶圆载台，用于承载前述晶圆；以及

一控制单元，用于计算前述晶圆之一对位设定值，其中，前述晶圆包含一第一晶圆层以及一第二晶圆层设置于前述第一晶圆层上，前述第一晶圆层包含一第一对位参数，前述第二晶圆层包含一第二对位参数，前述控制单元取得一第一加权因子以及一第二加权因子，前述第一加权因子为依据前述第一晶圆层之属性所预设决定，前述第二加权因子为依据前述第二晶圆层之属性所预设决定，前述光罩之对位设定值由前述第一对位参数、前述第二对位参数、前述第一加权因子以及前述第二加权因子所计算得出。