[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；

(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；

所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅，其中，高纯碳化硅的腐蚀时间为5～7min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为7～9min。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，高纯碳化硅的腐蚀时间为6min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为8min。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(1)中，当将高纯碳化硅进行腐蚀时，所述碱性腐蚀剂包括KOH，所述腐蚀的温度为500～600℃；

优选的，当将高纯碳化硅进行腐蚀时，所述腐蚀的温度为520～580℃；

更优选的，当将高纯碳化硅进行腐蚀时，所述腐蚀的温度为550℃。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(1)中，当将氮掺杂碳化硅进行腐蚀时，所述碱性腐蚀剂包括KOH和Na₂O₂，KOH与Na₂O₂的质量比为50:7～9，所述腐蚀的温度为550～650℃；

优选的，KOH与Na₂O₂的质量比为50:8；

优选的，当将氮掺杂碳化硅进行腐蚀时，所述腐蚀的温度为580～620℃；

更优选的，当将氮掺杂碳化硅进行腐蚀时，所述腐蚀的温度为600℃。

5.根据权利要求1～4任一项所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(1)中，在腐蚀之前，对碳化硅晶体表面进行研磨抛光和清洗处理；

优选的，对碳化硅晶体表面的颗粒和油脂进行清洗；

优选的，在清洗处理后，使用氢氟酸和/或硝酸对碳化硅晶体表面进行预腐蚀；

更优选的，预腐蚀的温度为15～25℃。

6.根据权利要求1～4任一项所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(2)中，所述观察为直接肉眼观察或借助于显微镜进行观察。

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(2)中，所述高纯碳化硅中，等积圆直径40～50μm的六边形腐蚀坑对应为螺位错，等积圆直径20～30μm的圆形腐蚀坑对应为刃位错，等积圆直径20～30μm的水滴形腐蚀坑对应为基平面位错。

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，步骤(2)中，所述氮掺杂碳化硅中，等积圆直径50～60μm的六边形腐蚀坑对应为螺位错，等积圆直径10～20μm的圆形腐蚀坑对应为刃位错，等积圆直径10～20μm的水滴形腐蚀坑对应为基平面位错。

9.根据权利要求7或8所述的碳化硅晶体的位错识别方法，其特征在于，所述高纯碳化硅和/或所述氮掺杂碳化硅中，位错线方向为沿晶轴方向，腐蚀坑的头部为位错的露头点，腐蚀坑的尾部为加深区域，则对应为基平面位错。

10.一种碳化硅晶体的位错腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂包括KOH和Na₂O₂，KOH和Na₂O₂的质量比为50:7～9；

优选的，KOH和Na₂O₂的质量比为50:8；

优选的，所述碳化硅晶体为氮掺杂碳化硅。