[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的器件层上形成掩模叠层；

在掩模叠层上形成中间层；

在中间层上形成第一缓冲层；

在第一缓冲层上形成多个第一线性伪特征，所述多个第一线性伪特征彼此并排并沿第一方向延伸；

形成第一衬层，所述第一衬层保形地衬在所述多个第一线性伪特征之上和之间，且衬在所述第一缓冲层之上；

通过执行各向异性蚀刻操作来形成多对第一线性图案，所述各向异性蚀刻操作去除所述第一衬层的在所述第一线性伪特征上和之间的横向部分，每对所述第一线性图案分别覆盖所述多个第一线性伪特征的两个侧壁；

去除第一线性伪特征；

依序在所述第一线性图案之间填充旋涂硬掩模层，并在所述旋涂硬掩模层上沉积第二缓冲层；

在第二缓冲层上形成多个第二线性伪特征，所述第二线性伪特征彼此并排且沿着第二方向延伸，所述第二方向投影地与所述第一方向截交；

形成第二衬层，所述第二衬层保形地衬在所述第二线性伪特征之上和之间，且衬在所述第二缓冲层之上；

通过执行各向异性蚀刻操作来形成多对第二线性图案，所述各向异性蚀刻操作去除所述第二衬层的横向部分，每对所述第二线性图案分别覆盖所述多个第二线性伪特征的两个侧壁；

进行中间层开口工艺，所述中间层开口工艺通过所述第一线性图案和所述第二线性图案，来同时蚀刻所述第二线性伪特征、所述第二缓冲层、所述旋涂硬掩模层、和所述第一缓冲层，以部分地暴露所述中间层；和

蚀刻所述中间层的暴露部分，以在所述掩模叠层上形成网格型图案；

其中，所述中间层开口工艺包括：

凹陷所述第二缓冲层在多个对间间隙下方的暴露部分以暴露所述旋涂硬掩模层的部分，其中，每个所述对间间隙被限定在所述多对第二线性图案的相邻两对之间；

通过第二线性图案和第一线性图案，凹陷所述旋涂硬掩模层的在所述第二线性图案之间的对间间隙下的暴露部分，以暴露所述第一缓冲层的部分；

去除所述第二线性伪特征以暴露所述第二缓冲层的部分，使得每对所述第二线性图案限定出对内开口；

通过所述第二线性图案，凹陷所述第二缓冲层的在所述对内开口下方的暴露部分，以使所述旋涂硬掩模层的所述对内开口下方的部分暴露；

通过所述第一线性图案和所述第二线性图案，凹陷所述第一缓冲层的暴露在所述对间间隙之下，以暴露所述中间层的所述对间间隙之下的部分；

通过所述第一线性图案和所述第二线性图案，凹陷所述旋涂硬掩模层的在所述对内开口下方的暴露部分，使所述第一缓冲层的在所述对内开口下方的部分暴露；和

通过所述第二线性图案和所述第一线性图案，凹陷所述第一缓冲层的暴露在所述对内开口下方的部分，以暴露中间层的在所述对内开口下方的部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一线性伪特征包括：

在所述第一缓冲层上依序设置第一伪置层和第一伪掩模层；

图案化所述第一伪掩模层以形成彼此并排的多个第一初步线性特征，所述多个第一初步线性特征沿所述第一方向延伸；和

通过所述第一初步线性特征蚀刻所述第一伪置层的暴露部分以部分地暴露所述第一缓冲层，从而形成所述第一线性伪特征，其中所述第一缓冲层的暴露部分同时凹陷，使得所述第一缓冲层的所述暴露部分低于第一缓冲层的在所述第一线性伪特征下的部分。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，形成所述第一线性图案还包括：

执行各向异性蚀刻操作以去除所述第一线性图案的边缘部分，其中所述第一缓冲层的暴露部分同时凹陷，使得所述暴露部分低于所述第一缓冲层的被所述第一线性图案覆盖的部分；和

去除所述第一初步线性特征，以暴露所述第一线性伪特征。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于

其中，所述第一伪置层是通过旋涂工艺形成的；

其中，所述第一伪置层包括碳。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于

其中，所述第一伪掩模层包括氮化硅。