[发明专利]氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，包括有以下步骤：

1)将二氧化钛纳米片在流动氢气下高温煅烧，得到氧缺陷二氧化钛纳米片；

2)将步骤1)所得的氧缺陷二氧化钛纳米片分散到溶剂中，超声后静置；

3)将步骤2)所得的悬浮液通过真空抽滤将氧缺陷二氧化钛负载到锂离子电池隔膜上；干燥后得到氧缺陷二氧化钛纳米片修饰的功能化隔膜。

2.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的煅烧温度为200-500℃，升温速率为2-5℃/min，保温时间为2-3小时。

3.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的二氧化钛纳米片的质量为10-50mg：溶剂的体积为20-100mL。

4.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的溶剂为无水乙醇、甲醇或异丙醇。

5.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的锂离子电池隔膜为商业化的聚乙烯隔膜、聚丙烯隔膜或聚乙烯-聚丙烯-聚乙烯隔膜。

6.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的悬浮液为静置后的上清液，抽滤的分散液的体积为控制氧缺陷二氧化钛纳米片单位面积负载量为0.1-0.2mg cm^-2。

7.按权利要求1所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜的制备方法，其特征在于所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰层的厚度由其单位面载量决定，范围为200-800nm。

8.权利要求1-7任一项制备方法所得的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜。

9.权利要求8所述的氧缺陷二氧化钛纳米片修饰锂离子电池隔膜作为锂硫电池隔膜的应用。