[发明专利]扩散型场效应晶体管的形成方法

说明书

本发明提供了一种扩散型场效应晶体管的形成方法。包括沟槽隔离结构以及厚度较大的第二氧化层，以实现对器件的耐压性能的双重优化，有利于更大程度的提高扩散型场效应晶体管的击穿电压。以及，通过设置厚度较大的第二氧化层以保障器件的耐压性能，一方面可以实现沟槽隔离结构的尺寸的进一步缩减，从而能够降低晶体管器件的导通电阻；另一方面，还可以增加漂移区的离子掺杂浓度，进而同样可以有效降低晶体管器件的导通电阻，如此，即有利于实现导通电阻与耐压的平衡。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种扩散型场效应晶体管及其形成方法。

背景技术

随着人们对电子产品的便携式与高效运行的共同需求下，高集成度和高功率的器件不断发展，功率晶体管器件已广泛应用于开关电源、数字电视、汽车电子、以及工业控制领域。其中，高密度的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)同时兼备信号处理与功率激励，满足了便携与低功耗的要求，从而成为了最具有发展前景的功率集成器件。

目前，BCD的核心器件中，针对扩散型场效应晶体管其急需攻克的课题是如何在提高晶体管器件的耐压性能的同时，保持晶体管器件的低导通电阻。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扩散型场效应晶体管，以解决现有的扩散型场效应晶体管难以在提高器件的耐压性能的同时，保持晶体管器件的低导通电阻。

为解决上述技术问题，本发明提供一种扩散型场效应晶体管，包括：

衬底，所述衬底中形成有漂移区，所述漂移区中形成有漏极区，以及在所述漂移区的一侧还形成有源极区；

沟槽隔离结构，形成在所述漂移区中，并位于所述漏极区和所述源极区之间；

第一氧化层，形成在所述衬底上，并由所述源极区延伸至所述漂移区；

第二氧化层，形成在所述漂移区的衬底上，并位于所述沟槽隔离结构靠近所述源极区的一侧，并且所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；

电极导电层，至少形成在所述第一氧化层和所述第二氧化层上。

可选的，所述第二氧化层位于所述第一氧化层和所述沟槽隔离结构之间，并连接所述第一氧化层和所述沟槽隔离结构。

可选的，所述第二氧化层中连接所述第一氧化层的端部以朝向所述第一氧化层的方向厚度逐渐减小。

可选的，所述第二氧化层部分嵌入至衬底中，以及所述沟槽隔离结构的顶表面还凸出于所述衬底的顶表面。

可选的，所述沟槽隔离结构的顶表面不低于所述第二氧化层的顶表面。

可选的，所述第二氧化层的平均厚度尺寸大于等于所述第一氧化层的平均厚度尺寸的2倍。

可选的，所述衬底中还形成有阱区，所述阱区位于所述漂移区的一侧，以及所述源极区形成在所述阱区中。

另外，本发明还提供了一种扩散型场效应晶体管的形成方法，包括：

提供一衬底，并在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层中形成有至少一第一开窗；

以所述掩模层为掩模刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成对应于所述第一开窗的隔离沟槽，并在所述隔离沟槽中填充绝缘材料层，以形成沟槽隔离结构；

增加所述掩模层的第一开窗的宽度尺寸，以构成第二开窗，所述第二开窗至少暴露出所述沟槽隔离结构一侧的衬底；

执行氧化工艺，以在暴露于所述第二开窗中的衬底上形成第二氧化层；