[发明专利]一种H桥高增益升压变换器和开关电源在审

专利信息
申请号: 202010044117.5 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111130349A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 张桂东;陈浩东;王裕;陈思哲;章云 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 黄忠
地址: 510060 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 增益 升压 变换器 开关电源
【权利要求书】:

1.一种H桥高增益升压变换器,其特征在于,包括:直流电源、第一开关管模块、第二开关管模块、第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和电感;

所述电感的一端连接所述直流电源的正端;

所述电感的另一端连接所述第一二极管的阳极和所述第一开关管模块的第一端;

所述第一二极管的阴极连接所述第一电容的第一端、所述第二开关管模块的第一端和所述第三二极管的阳极;

所述第一开关管模块的第二端连接所述第一电容的第二端、所述第二二极管的阳极和所述第四二极管的阴极;

所述第二开关管模块的第二端连接所述直流电源的负端、所述第二二极管的阴极、所述第三电容的第一端和所述第二电容的第二端;

所述第三二极管的阴极连接所述第二电容的第一端和负载的正端;

所述负载的负端连接所述第三电容的第二端和所述第四二极管的阳极。

2.根据权利要求1所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块同时开通或关断。

3.根据权利要求1所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为IGBT管;

所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第一端为所述IGBT管的发射极,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第二端为所述IGBT管的集电极。

4.根据权利要求1所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为NMOS管;

所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第一端为所述NMOS管的源极,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块的第二端为所述NMOS管的漏极。

5.根据权利要求3或4所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为单个开关管。

6.根据权利要求3或4所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一开关管模块和所述第二开关管模块均为两个以上并联的开关管串;

每个所述开关管串包括两个以上串联的开关管。

7.根据权利要求1所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容均为极性电容;

所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述第三电容的第一端的第一端均为正端;

所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述第三电容的第二端均为负端。

8.根据权利要求1所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述电感的电感值为220μH。

9.根据权利要求8所述的H桥高增益升压变换器,其特征在于,所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容的电容值均为47μF。

10.一种开关电源,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的H桥高增益升压变换器。

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