[发明专利]一种高介电常数的塑料薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 202010045681.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111333953A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张自魁;潘浩 | 申请（专利权）人： | 上海皓月新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/12 | 分类号： | C08L23/12;C08K3/22;C08J5/18;H01G4/06;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 朱九皋 |
| 地址： | 201506 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 塑料薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：它包括有机塑料、氧化钽及氧化铌；氧化钽、氧化铌均匀分布于有机塑料中；氧化钽与氧化铌的体积比含量占有机塑料、氧化钽及氧化铌的总体积的10％-70％；氧化铌的体积比含量占氧化钽与氧化铌总体积的10％-90％。
2.根据权利要求1所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化钽、氧化铌以纳米级状态均匀分布于有机塑料中。
3.根据权利要求2所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述的有机塑料为聚丙烯或聚乙烯或聚四氟乙烯或聚苯乙烯或聚酯或聚碳酸酯。
4.根据权利要求3所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化钽与氧化铌的体积比含量占有机塑料、氧化钽及氧化铌的总体积的30％-50％。
5.根据权利要求4所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述氧化铌的体积比含量占氧化钽与氧化铌总体积的25％-75％。
6.根据权利要求5所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述的有机塑料为聚丙烯。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述高介电常数的塑料薄膜还包括相容剂。
8.一种如权利要求6所述的高介电常数的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：所述纳米级氧化钽、纳米级氧化铌按照比例通过小尺寸效应、表面或界面效应作用通过机械共混均匀分布在有机塑料熔融物中，通过挤出成型形成金属氧化物有机塑料粒子；然后金属氧化物有机塑料粒子采用挤出成型工艺，在挤压成型形成厚度均匀的金属氧化物聚丙烯塑料薄膜。
9.一种如权利要求7所述的高介电常数的塑料薄膜的制造方法，其特征在于：所述纳米级氧化钽、纳米级氧化铌按照比例通过小尺寸效应、表面或界面效应作用与相容剂结合后再通过机械共混均匀分布在有机塑料熔融物中，通过挤出成型形成金属氧化物有机塑料粒子；然后金属氧化物有机塑料粒子采用挤出成型工艺，在挤压成型形成厚度均匀的金属氧化物聚丙烯塑料薄膜。
10.根据权利要求8或9所述的高介电常数的塑料薄膜，其特征在于：所述金属氧化物有机塑料粒子采用挤出成型工艺，在挤压成型并双向拉伸加工形成厚度均匀的金属氧化物聚丙烯塑料薄膜。
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