[发明专利]一种用于上颌磨牙的人工牙冠

说明书

本发明公开了一种用于上颌磨牙的人工牙冠，该牙冠包含联冠修复体，所述联冠修复体的龈端设有排溢道，所述的排溢道用于对所述联冠修复体的龈端的清洁；使用状态下，所述的排溢道与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。所述的排溢道优选为近远中向；使用状态下，排溢道位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道的近端和远端均偏向腭侧。本发明的用于上颌磨牙的人工牙冠通过在龈端设计排溢道，有利于牙齿自洁，可去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高了上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。

技术领域

本发明涉及医疗技术领域，具体涉及一种用于上颌磨牙的人工牙冠。

背景技术

下颌磨牙分根术用于治疗Ⅲ度或Ⅳ度根分叉病变、折裂牙，是将下颌磨牙牙冠及牙根沿颊舌沟进行颊舌向分割，形成两个独立的牙根。待刮净根分叉区牙石、肉芽组织，或行根管治疗术后，再对两个“单根牙”进行桩核、联冠修复，均匀分配咀嚼力，充分调动牙周组织潜力。分根术暴露了病变组织，便于彻底去除病原刺激物、消除牙周袋，促进健康牙周组织附着，不仅避免了牙根拔除后废用性牙槽骨萎缩，还保留了根部牙周膜的感觉作用，因此在临床上被广泛应用。

然而，目前分根术多用于下颌磨牙，而上颌磨牙行分根术远期效果不佳，临床使用较少，原因是上颌磨牙有三个牙根，成三角形排列，牙根之间距离较小，行分根术后，修复体龈端易积塞食物残渣，加剧菌斑附着、牙石形成，该区域自洁作用差，且间隙过小，难于清洁维护，最终导致根面龋、牙周袋加深、甚至冠脱落等。

上颌磨牙半切术是切除颊侧牙根，仅保留腭侧牙根，其与牙长轴存在角度，使咬合力转变为侧向力，单根负担加重，远期效果不佳。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于上颌磨牙的人工牙冠，以解决上颌磨牙分根术后联冠修复体因龈端不易清洁，远期治疗效果不佳的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种用于上颌磨牙的人工牙冠，该牙冠包含联冠修复体，所述联冠修复体的龈端设有排溢道，所述的排溢道用于对所述联冠修复体的龈端的清洁；使用状态下，所述的排溢道与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。

较佳地，所述的排溢道为近远中向；使用状态下，排溢道位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道的近端和远端均偏向腭侧。

较佳地，所述的排溢道长7～8mm，宽1.5～2mm，高1.5～2mm。

较佳地，所述联冠修复体在所述排溢道的两侧分别设有颊侧凹槽和腭侧凹槽，用于将所述联冠修复体安装到牙备后的基牙上。

较佳地，采用洁牙工具对所述的排溢道进行清洁，所述的洁牙工具包含冲牙器和牙间刷。

较佳地，所述的人工牙冠为上颌磨牙行分根术后采用的人工牙冠。

较佳地，所述的人工牙冠为根分叉病变、折裂牙和龋病的治疗中采用的人工牙冠。

有益效果：

(1)联冠修复体龈端设计有排溢道，有利于牙齿自洁，并且可用冲牙器或牙间刷维护该部位清洁，去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。

(2)排溢道采用近远中的方向而非位于近远颊根之间的颊舌向设计，避免了在颊侧和腭侧直接暴露通道影响美观。

(3)排溢道偏腭侧而非偏颊侧，可为患者后期清洁提供便利。

(4)相比上颌磨牙半切术，采用本发明的人工牙冠可以保留颊侧牙根，增大了牙周膜面积，有利于分担牙合力，避免单根负担过重。

(5)采用本发明的人工牙冠并结合上颌磨牙分根术，保留了口腔生理辨别能力，辨别食物硬度，感知咀嚼力的大小方向，减轻颌创伤，防止牙槽骨吸收。