[发明专利]基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器及其控制方法

权利要求书

1.一种基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器，其特征在于，

包括二氧化硅底层、第一硅波导层、第二硅波导层、第三硅波导层、第一电调控组件、第二电调控组件、第一电极层和第二电极层，所述第一硅波导层、所述第二硅波导层和所述第三硅波导层均位于所述二氧化硅底层上，所述第一电调控组件包括第一二氧化硅层和第一ITO激活薄膜层，所述第一二氧化硅层的数量为两个，两个所述第一二氧化硅层位于所述第一硅波导层上，且相对设置，所述一ITO激活薄膜层位于两个所述第一二氧化硅层之间，所述第二电调控组件包括第二二氧化硅层和第二ITO激活薄膜层，所述第二二氧化硅层的数量为两个，两个所述第二二氧化硅层位于所述第二硅波导层上，且相对设置，所述二ITO激活薄膜层位于两个所述第二二氧化硅层之间，所述第二电调控组件的数量为两个，两个所述第二电调控组件间隔设置，所述第一电极层的数量为两个，一个所述第一电极层位于两个所述第一二氧化硅层远离所述第一硅波导层的一侧，另一个所述第一电极层位于两个所述第二二氧化硅层远离所述第二硅波导层的一侧，所述第二电极层位于两个所述第二二氧化硅层远离所述第二硅波导层的一侧。

2.如权利要求1所述的基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器，其特征在于，

所述第一硅波导层、所述第二硅波导层、所述第三硅波导层、所述第一电极层和所述第二电极层均为正电极。

3.如权利要求2所述的基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器，其特征在于，

所述第一ITO激活薄膜层和所述第二ITO激活薄膜层为负电极。

4.一种基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器的控制方法，用于控制如权利要求3所述的基于表面等离子硅基波导的电光混合半加器，其特征在于，包括：

检测到对第一硅波导层上的第一电极层施加的电信号，第一硅波导层的光信号接通进行传输；

检测到对第二硅波导层上的第一电极层和第二电极层施加的电信号，第一硅波导层的光信号接通进行传输或交叉传输至第三硅波导层；

检测到对两个第一电极层和第二电极层施加的逻辑控制电信号，将输出光信号定义为逻辑1，无光输出定义为逻辑0。