[发明专利]一种半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010047702.0 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113130383B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;于星;王科;秦俊峰;王凡 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，形成双层光刻胶层于所述衬底上，所述双层光刻胶层自下而上依次包括感光材料层及正显影光刻胶层；
进行曝光，使所述双层光刻胶层的预设区域曝光；
进行显影，去除所述双层光刻胶层被曝光的区域，得到上下贯穿所述双层光刻胶层的开口；
形成正显影光刻胶微缩材料层，所述正显影光刻胶微缩材料层覆盖所述双层光刻胶层的顶面，并填充进所述开口；
进行加热处理，使所述正显影光刻胶微缩材料层与所述正显影光刻胶层的交界面处发生融合，得到交联层，所述交联层位于所述正显影光刻胶层侧壁的部分突出于所述感光材料层的侧壁；
去除所述正显影光刻胶微缩材料层以再次显露所述开口，所述开口的顶部宽度小于底部宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述显影使用的显影液包括四甲基氢氧化铵显影液。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述感光材料层包括负显影光刻胶层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述感光材料层的厚度范围是600-800埃，所述正显影光刻胶层的厚度范围是1000-2000埃。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述加热处理的温度范围为90-170℃，保温时间为30-120秒。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述正显影光刻胶微缩材料层的材质包括甲基丙烯酸酯及含烷基氨基的丙烯酸酯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：采用去离子水去除所述正显影光刻胶微缩材料层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述开口的纵截面呈倒T型。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
形成导电材料层于所述双层光刻胶层的顶面及所述开口中，所述导电材料层的厚度小于所述双层光刻胶层的厚度；
剥离所述双层光刻胶层，其中，所述导电材料层位于所述双层光刻胶层上的部分在剥离过程中被一同去除，所述导电材料层位于所述开口中的部分保留下来作为导电线。
10.一种半导体结构，所述半导体结构包括衬底及位于所述衬底上的导电线，其特征在于：所述半导体结构的制作过程中采用了如权利要求1-9任意一项所述的半导体结构的制作方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
