[发明专利]薄膜制备方法

权利要求书

1.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：

第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，所述第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一所述阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一所述阻挡层沉积时段采用的射频功率；

第二沉积步，继续向所述工艺腔室中通入所述工艺气体，并向所述靶材加载直流功率，以在所述薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，所述第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一所述主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一所述主体层沉积时段采用的直流功率。

2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，还包括：

调节所述第二沉积步采用的靶基间距和所述工艺气体的流量，以增大薄膜的晶粒尺寸。

3.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第二沉积步采用的靶基间距的取值范围为80mm-110mm。

4.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第二沉积步采用的所述工艺气体的流量的取值范围为20sccm-50sccm。

5.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，在所述第二沉积步中，在向所述靶材加载直流功率的同时，向所述靶材加载射频功率。

6.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第二沉积步采用的射频功率为150W-300W。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一沉积步包括三个所述阻挡层沉积时段，第一个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为100W；第二个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为200W；第三个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为300W。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第二沉积步包括三个所述主体层沉积时段，第一个所述主体层沉积时段采用的直流功率为50W；第二个所述主体层沉积时段采用的直流功率为80W；第三个所述主体层沉积时段采用的直流功率为180W。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一沉积步采用的靶基间距的取值范围为90mm-120mm。

10.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一沉积步采用的所述工艺气体的流量的取值范围为30sccm-100sccm。