[发明专利]具有等效串联电阻部件的半导体装置在审
申请号: | 202010047867.8 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN111508959A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 太田賢 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G06F30/392 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 等效 串联 电阻 部件 半导体 装置 | ||
1.一种设备,其包括:
第一导电层,其具有第一公共图案和在第一方向上布置的多个第一分支图案,所述第一分支图案中的每一者的一个端连接到所述第一公共图案;
第二导电层,其具有第二公共图案和在所述第一方向上布置的多个第二分支图案,所述第二分支图案中的至少一者的一个端连接到所述第二公共图案;
绝缘层,其形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间;以及
多个通路电极,其透过所述绝缘层,所述第一分支图案中的每一者的另一端连接到所述第二分支图案中的每一者的另一端中的相关联的一者。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所有所述第二分支图案的所述一个端连接到所述第二公共图案。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二分支图案中的一些的所述一个端连接到所述第二公共图案,并且剩余第二分支图案的所述一个端从所述第二公共图案断开。
4.根据权利要求3所述的设备,其中连接到所述第二公共图案的所述第二分支图案在所述第一方向上规则地布置。
5.根据权利要求4所述的设备,其中连接到所述第二公共图案的所述第二分支图案中的至少一者和从所述第二公共图案断开的所述第二分支图案中的至少一者在所述第一方向上交替地布置。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一分支图案中的每一者在大致上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一分支图案中的每一者具有曲折形状。
8.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括共同地连接到所述第一公共图案的多个电容器元件。
9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括多个存储器单元,所述多个存储器单元各自具有单元晶体管和单元电容器,
其中所述电容器元件中的每一者具有与所述单元电容器大致上相同的结构。
10.根据权利要求9所述的设备,
其中所述电容器元件和所述存储器单元位于第一区域中,
其中所述通路电极位于第二区域中,并且
其中所述第一分支图案和所述第二分支图案中的每一者部分地位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域中。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述第三区域没有任何通路电极。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述剩余第二分支图案在所述第三区域中断开。
13.根据权利要求10所述的设备,其中所述第二分支图案中的每一者与所述第一分支图案中的相关联的一者在所述第三区域中重叠。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述第二公共图案与所述第一公共图案在所述第一区域中重叠。
15.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括内部电压生成器,所述内部电压生成器基于从外部供应的外部电压生成内部电压,
其中所述第一公共图案和所述第二公共图案中的一者被供应有所述内部电压。
16.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一导电层包括第一导电材料,并且所述第二导电层包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料。
17.根据权利要求16所述的设备,其中所述第一导电材料的电阻率大于所述第二导电材料的电阻率。
18.根据权利要求17所述的设备,其中所述第一导电材料是耐熔金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的