[发明专利]一种N掺杂CdPS3

权利要求书

1.一种N掺杂CdPS₃二维纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过氮元素取代CdPS₃晶胞中的宿主磷原子，得N掺杂CdPS₃二维纳米片光催化剂，该N掺杂CdPS₃二维纳米片光催化剂的光吸收带边从紫外区拓展至可见光区；

具体包括以下步骤：

1)获取CdPS₃块状光催化剂；

2)将CdPS₃块状光催化剂置于去离子水中进行超声剥离，得CdPS₃二维纳米片光催化剂；

3)将CdPS₃二维纳米片光催化剂与NH₄H₂PO₄进行混合，然后在N₂气氛中进行加热，得N掺杂CdPS₃块状光催化剂；

4)将步骤3)得到的N掺杂CdPS₃块状光催化剂置于去离子水中进行超声剥离，得N掺杂CdPS₃二维纳米片光催化剂；

步骤1)中获取CdPS₃块状光催化剂的具体过程为：

称取镉粉、红磷、硫粉及碘单质，混合后放置于真空条件下加热至500℃-1300℃并保持3天-15天，其中，镉粉、红磷、硫粉及碘单质的质量比为(0.1-5)：0.1-3)：(0.2-6)：(0.01-5)；

步骤2)中超声剥离的时间为1h-15h；

步骤3)中CdPS₃二维纳米片光催化剂与NH₄H₂PO₄的质量比为(0.1-10)：(1.0-30.0)；

步骤3)中的加热温度为300℃-600℃，加热时间为0.5h-5h。

2.根据权利要求1所述的N掺杂CdPS₃二维纳米片光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤4)中剥离的时间为1h-15h。