[发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置

权利要求书

1.一种读出放大器，包括：

第一隔离单元，其被构造为响应于隔离信号将位线连接到读出位线；

第二隔离单元，其被构造为响应于所述隔离信号将互补位线连接到互补读出位线；

第一偏移补偿单元，其被构造为响应于偏移消除信号将所述位线连接到所述互补读出位线；

第二偏移补偿单元，其被构造为响应于所述偏移消除信号将所述互补位线连接到所述读出位线；

第一P型金属氧化物半导体晶体管，其连接在第一控制线和所述互补读出位线之间，并且具有连接到所述读出位线的控制端子；

第二P型金属氧化物半导体晶体管，其连接在所述第一控制线和所述读出位线之间，并且具有连接到所述互补读出位线的控制端子；

第一N型金属氧化物半导体晶体管，其连接在第二控制线和所述互补读出位线之间，并且具有连接到所述位线的控制端子；以及第二N型金属氧化物半导体晶体管，其连接在所述第二控制线和所述读出位线之间，并且具有连接到所述互补位线的控制端子，

其中，所述第一隔离单元和所述第一偏移补偿单元设置在所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第一N型金属氧化物半导体晶体管之间，并且其中，所述第二隔离单元和所述第二偏移补偿单元设置在所述第二P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管之间，并且

其中，满足以下两种情形之一：

所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管设置在所述读出放大器的彼此相对侧，并且所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管设置在所述读出放大器的位于所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管之间的中部区域，以及

所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管设置在所述读出放大器的彼此相对侧，并且所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管设置在所述读出放大器的位于所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管之间的中部区域。

2.根据权利要求1所述的读出放大器，还包括：

第一图案，其设置在所述第一P型金属氧化物半导体晶体管与所述第一隔离单元和所述第一偏移补偿单元之间，其中，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管在所述第一图案的第一侧，所述第一隔离单元和所述第一偏移补偿单元在所述第一图案的第二侧；以及

第二图案，其设置在所述第二P型金属氧化物半导体晶体管与所述第二隔离单元和所述第二偏移补偿单元之间，其中，所述第二P型金属氧化物半导体晶体管在所述第二图案的第一侧，所述第二隔离单元和所述第二偏移补偿单元在所述第二图案的第二侧。

3.根据权利要求1所述的读出放大器，还包括均衡器，其连接在预充电电压线与所述读出位线和所述互补读出位线中的一个之间，其中所述均衡器具有连接至均衡控制线的控制端子，并且其中所述均衡器设置在所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管中的一个与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管中的一个之间。

4.根据权利要求3所述的读出放大器，其中，所述均衡器连接在所述预充电电压线和所述读出位线之间，并且其中，所述均衡器设置在所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第一N型金属氧化物半导体晶体管之间。

5.根据权利要求3所述的读出放大器，其中，所述均衡器连接在所述预充电电压线和所述互补读出位线之间，并且其中，所述均衡器设置在所述第二P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管之间。

6.根据权利要求1所述的读出放大器，其中，所述位线连接至第一存储器单元阵列的第一组多个存储器单元，并且所述互补位线连接至第二存储器单元阵列的第二组多个存储器单元，并且其中所述读出放大器设置在所述第一存储器单元阵列和所述第二存储器单元阵列之间。