[发明专利]三维存储器及其制备方法

说明书

本申请提供一种三维存储器及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和设于所述衬底上的第一堆叠结构，所述半导体结构具有贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，及形成于所述第一沟道孔中的第一填充牺牲层；在所述第一堆叠结构上形成连接层；在所述连接层内形成连接孔，所述连接孔露出所述第一填充牺牲层，其中，所述连接孔靠近所述衬底端的孔径小于或等于所述第一沟道孔背向所述衬底端的孔径。本申请提供的三维存储器的制备方法，解决了三维存储器的制备良率的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种三维存储器及其制备方法。

背景技术

三维存储器是实现数据在三维空间中的存储和传递，大幅提高存储设备的存储能力的存储器。现有的三维存储器随着堆叠层数的增加，双层沟道孔结构应运而生，但是双层沟道孔的对准是个难题，其会影响三维存储器的制备良率。

发明内容

本申请提供一种三维存储器及其制备方法，解决了三维存储器的制备良率的问题。

本申请提供一种三维存储器的制备方法，所述制备方法包括：

提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和设于所述衬底上的第一堆叠结构，所述半导体结构具有贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，及形成于所述第一沟道孔中的第一填充牺牲层；

在所述第一堆叠结构上形成连接层；

在所述连接层内形成连接孔，所述连接孔露出所述第一填充牺牲层，其中，所述连接孔靠近所述衬底端的孔径小于或等于所述第一沟道孔背向所述衬底端的孔径。

其中，所述“在所述连接层内形成连接孔，所述连接孔露出所述第一填充牺牲层”包括：

在所述连接层上形成光阻层；

在所述光阻层上形成开口，所述开口露出所述连接层；

蚀刻所述开口对应的所述连接层以形成所述连接孔。

其中，所述“在所述连接层内形成连接孔，所述连接孔露出所述第一填充牺牲层”之后，所述制备方法还包括：

在所述连接孔中形成第二填充牺牲层。

其中，所述“在所述连接孔中形成第二填充牺牲层”之后，所述制备方法还包括：

在所述连接层上形成第二堆叠结构；

在所述第二堆叠结构上形成第二沟道孔，所述第二沟道孔露出所述第二填充牺牲层，其中，所述第二沟道孔靠近所述连接层端的孔径小于或等于所述连接孔靠近所述第二堆叠结构端的孔径。

其中，所述“提供半导体结构”包括：

提供所述衬底；

在所述衬底上形成所述第一堆叠结构；

在所述第一堆叠结构上形成所述第一沟道孔；

在所述第一沟道孔中形成所述第一填充牺牲层。

其中，在所述“在所述第一堆叠结构上形成第一沟道孔”和所述“在所述第一沟道孔中形成第一填充牺牲层”之间，所述制备方法包括：

在所述第一沟道孔的底部形成外延结构。

其中，所述第二堆叠结构包括第二堆栈层和掩模层，所述“在所述连接层上形成第二堆叠结构”包括：

在所述连接层上形成第二堆栈层；

在所述第二堆栈层上形成掩模层。

其中，所述“在所述第二堆叠结构上形成第二沟道孔，所述第二沟道孔露出所述第二填充牺牲层”之后，所述制备方法还包括：