[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述衬底上具有栅极结构，所述中间区域的所述栅极结构的高度与所述边缘区域的所述栅极结构的高度具有差异；

采用至少一次沉积工艺在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层，位于高度高的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度小于位于高度低的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度；

在每次形成完所述覆盖层后，均刻蚀所述覆盖层及部分厚度的所述栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为碳氢聚合物。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺包括等离子体沉积工艺。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用控温方法形成所述覆盖层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述控温方法包括：

提供控温基板，将所述衬底放置在所述控温基板上；

通过所述控温基板控制所述衬底的温度，使高度高的所述栅极结构的温度高于高度低的所述栅极结构的温度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：介电层；功函数层，位于所述介电层表面；以及栅极材料层，位于所述功函数层表面。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极结构的方法包括：

先刻蚀所述栅极材料层；

再刻蚀所述功函数层和所述介电层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述沉积工艺为一次时，在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层，位于高度高的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度小于位于高度低的所述栅极结构上的所述覆盖层的厚度；

刻蚀所述覆盖层及部分厚度的所述栅极结构。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述沉积工艺为多次时，在所述衬底、所述栅极结构表面形成覆盖层；

刻蚀所述覆盖层和部分厚度的所述栅极结构；

循环进行形成所述覆盖层以及刻蚀所述覆盖层和所述栅极结构的步骤。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺的次数为5～10次。