[发明专利]一种基于梯度二氧化硅颗粒的水伏器件制备方法在审

专利信息
申请号: 202010049851.0 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN111600509A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 苗中正;田华雨;张立云 申请(专利权)人: 盐城师范学院
主分类号: H02N3/00 分类号: H02N3/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 224000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 梯度 二氧化硅 颗粒 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于梯度二氧化硅颗粒的水伏器件制备方法,包括如下步骤:

(1)将不同尺寸的二氧化硅颗粒粉末分别分散在溶剂中,得到二氧化硅浆料;

(2)在基底上设有上电极和下电极的一面,自下而上分别涂覆不同尺寸二氧化硅颗粒浆料,底部为小尺寸纳米颗粒,自下而上纳米颗粒尺寸逐步增加,一个区域干燥完全后,再依次涂覆下一区域,干燥后得到一种基于梯度二氧化硅涂层的水伏器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的二氧化硅颗粒尺寸为10-1000nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的溶剂为甲醇、乙醇或去离子水,二氧化硅和溶剂的质量比为3∶7-7∶3。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的基底为柔性基底,柔性基底为涤纶树脂膜、聚酰亚胺膜、聚氯乙烯膜、聚丙烯膜、聚四氟乙烯膜或铁氟龙胶带。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的上电极和下电极的电极材料为无机导电材料或金属导电材料,上电极与下电极的电极间隔为1-5cm。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的干燥时间为1s-1800s,干燥温度为0-80℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的二氧化硅涂层厚度为5-100μm。

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