[发明专利]一种基于梯度二氧化硅颗粒的水伏器件制备方法在审
申请号: | 202010049851.0 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN111600509A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 苗中正;田华雨;张立云 | 申请(专利权)人: | 盐城师范学院 |
主分类号: | H02N3/00 | 分类号: | H02N3/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 梯度 二氧化硅 颗粒 器件 制备 方法 | ||
1.一种基于梯度二氧化硅颗粒的水伏器件制备方法,包括如下步骤:
(1)将不同尺寸的二氧化硅颗粒粉末分别分散在溶剂中,得到二氧化硅浆料;
(2)在基底上设有上电极和下电极的一面,自下而上分别涂覆不同尺寸二氧化硅颗粒浆料,底部为小尺寸纳米颗粒,自下而上纳米颗粒尺寸逐步增加,一个区域干燥完全后,再依次涂覆下一区域,干燥后得到一种基于梯度二氧化硅涂层的水伏器件。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的二氧化硅颗粒尺寸为10-1000nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的溶剂为甲醇、乙醇或去离子水,二氧化硅和溶剂的质量比为3∶7-7∶3。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的基底为柔性基底,柔性基底为涤纶树脂膜、聚酰亚胺膜、聚氯乙烯膜、聚丙烯膜、聚四氟乙烯膜或铁氟龙胶带。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的上电极和下电极的电极材料为无机导电材料或金属导电材料,上电极与下电极的电极间隔为1-5cm。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的干燥时间为1s-1800s,干燥温度为0-80℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的二氧化硅涂层厚度为5-100μm。
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