[发明专利]半导体晶片表面金属化的方法

权利要求书

1.一种半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，包括：

对半导体晶片进行真空溅射沉积，以使半导体晶片的表面形成铝层；

对形成铝层后的半导体晶片进行合金处理，以使所述半导体晶片的表面形成铝硅合金层；

对形成铝硅合金层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成铝硅合金层后的半导体晶片的表面形成镍层；

对形成镍层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成镍层后的半导体晶片的表面形成锡层；

对形成锡层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成锡层后的半导体晶片的表面形成导电层。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，在所述对半导体晶片进行真空溅射沉积，以使半导体晶片的表面形成铝层之前，还包括：

对半导体晶片进行预清洗；

将预清洗后的半导体晶片放置于酸性溶液中清洗；

将清洗后的半导体晶片放入温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗，漂洗时间为20～30分钟；

将漂洗后的半导体晶片烘干。

3.如权利要求2所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述酸性溶液是质量百分比浓度为2％的硫酸溶液。

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述对形成铝层后的半导体晶片进行合金处理，以使所述半导体晶片的表面形成铝硅合金层，具体包括：

在300～400℃的温度且氮气流量为6.5L/min的气氛下，使所述铝层与所述半导体晶片的表面进行合金，以形成铝硅合金层。

5.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，在所述对形成铝硅合金层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成铝硅合金层后的半导体晶片的表面形成镍层之前，还包括：

对形成铝硅合金层后的半导体晶片进行离子轰击清洗；在离子轰击清洗中，真空度为8～10^-1Pa，阴极射频频率为50～100KHZ，阳极射频频率为27.12MHZ。

6.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述对形成铝硅合金层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成铝硅合金层后的半导体晶片的表面形成镍层，具体包括：

控制真空度处于5×10^-2～5×10^-3Pa，并通入氩气，氩气流量为400～500SCCM；

以镍靶为靶材，对形成铝硅合金层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成铝硅合金层后的半导体晶片的表面形成镍层，溅射时间为20～30min，溅射功率为9～10kW，离子轰击电流为13～18A。

7.如权利要求6所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述对形成镍层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成镍层后的半导体晶片的表面形成锡层，具体包括：

以锡靶为靶材，对形成镍层后的半导体晶片进行真空溅射沉积，以使形成镍层后的半导体晶片的表面形成锡层，溅射时间为10～15min，溅射功率为5～6.5kW，离子轰击电流为8～10A。

8.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述铝硅合金层的厚度为10～30纳米。

9.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述镍层和所述锡层的总厚度为5纳米。

10.如权利要求1-3任一项所述的半导体晶片表面金属化的方法，其特征在于，所述导电层为金层，所述导电层的厚度为1纳米。