[发明专利]一种改进型集成电路TEM小室辐射发射测量装置及方法有效

专利信息
申请号: 202010051010.3 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111175640B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 吴建飞;郑亦菲;李雅菲;张红丽;李宏;吴健煜;王宏义;郑黎明;刘培国 申请(专利权)人: 天津市滨海新区军民融合创新研究院;中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R31/00
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 徐志宏
地址: 300450 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进型 集成电路 tem 小室 辐射 发射 测量 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路TEM小室测量系统,包括:TEM小室,用于接收被测芯片发射的电磁场;电磁干扰测试接收机,通过射频线与所述TEM小室相连,用于采集所述TEM小室发出的电磁场信号;电源,用于向被测芯片供电;计算机及相应的控制软件,用来控制和监控测试接收机和相应的测试组件;其特征在于,所述TEM小室包括手电筒形场探头,所述TEM小室测试窗为圆形并配备带有刻度的圆形隔离环;所述TEM小室的外壁设有与所述圆形隔离环上刻度相对应的参照标识;所述手电筒形场探头与所述圆形隔离环之间设有发生角度旋转用的滑移结构;

所述圆形隔离环设有不同高度的至少两级台阶以对应不同口径大小的至少两个所述手电筒形场探头;

所述集成电路TEM小室测量系统在测试过程中,按小于90度的任意步长切换手电筒形场探头上参照标识与圆形隔离环上刻度盘之间不同相对角度,分别测试各相对角度所对应的被测芯片不通电状态下的噪声和通电状态下的辐射数据,结合不同相对角度上的测量数据进行数据分析。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述手电筒形场探头为对混合电磁场进行分类的电场探头、磁场探头。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,在所述TEM小室测试窗与接地板之间连接有固定用的铜箔胶带。

4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述接地板为圆形。

5.根据权利要求4所述的系统,其特征在于,在所述接地板的中间部分设有对应所述被测芯片的PCB测试板的固定结构。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括:

在测试过程中,被测芯片的最低发射电平高于噪声电平至少6dB。

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