[发明专利]一种散热缓冲膜

权利要求书

1.一种散热缓冲膜，其特征在于：从上往下依次分为离型膜层、网格胶层、泡棉缓冲层、石墨烯层和金属箔层，其制备方法包括：

(1)采用化学气相沉积的方法制备石墨烯层：采用未清洗的压延金属作为CVD沉积石墨烯的基体，所述未清洗的压延金属表面的油脂作为生长石墨烯的碳源，将所述未清洗的压延金属直接放入CVD系统进行生长，在所述未清洗的压延金属表面形成石墨烯膜，获得石墨烯层；

(2)泡棉缓冲层的制备：在所述石墨烯层表面直接涂布一层丙烯酸交联剂，过烘箱烘干，将烘干后的材料重新过烘箱发泡，获得泡棉缓冲层；

(3)网格胶层和离型膜层的制备：在网纹离型膜上涂布丙烯酸胶黏剂，过六节烘箱烘干后获得网格胶层，与所述泡棉缓冲层贴合形成散热缓冲膜。

2.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(1)中所述未清洗的压延金属为铝、铜、镍、银、金或钛中的任意一种或多种合金，所述未清洗的压延金属的厚度为1~20µm。

3.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(1)中所述石墨烯膜的层数为1~10层，单层石墨烯膜的厚度为0.0334nm。

4.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(1)中所述CVD的生长条件为：炉膛压力小于1Pa，通入流量为200~700sccmd的氢气和100~1500sccm的氩气，15分钟内将生长基体表面温度升至800~1000℃，保温20~60min，然后冷却至室温，冷却速度为10~20℃/min，完成CVD生长。

5.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(2)中所述涂布的速度为3~5m/min，所述烘箱的温度为90~110℃，烘干后丙烯酸交联剂的厚度为50~100µm，所述发泡的温度为120~170℃，所述发泡的时间为3~6min。

6.如权利要求5所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：所述丙烯酸交联剂包括带有羧基或羟基的丙烯酸酯类共聚物100份；溶剂、增黏树脂、橡胶30~70份；发泡剂1~5份以及异氰酸酯类固化剂0.8~1.5份。

7.如权利要求6所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：所述丙烯酸酯类共聚物由单体丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯酸异酯聚合而成，分子量为30-50万；所述溶剂包括乙酸乙酯、乙酸正丁酯、甲苯、丁酮中的任意一种或几种的组合；所述增黏树脂为改性松香树脂；所述橡胶为丁腈橡胶、丙烯酸酯橡胶及丁苯橡胶中的任意一种；所述发泡剂为N-亚硝基化合物、偶氮化合物以及酰肼类化合物中的任意一种；所述异氰酸酯类固化剂为甲苯二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、4,4'-二环己基甲烷二异氰酸酯中的任意一种或多种。

8.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(3)中所述丙烯酸胶黏剂的组成为低粘度丙烯酸聚酯类胶黏剂100份，异氰酸酯类固化剂0.8~2份，有机溶剂50~150份。

9.如权利要求8所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：所述异氰酸酯类固化剂包括甲苯二异氰酸酯；所述有机溶剂包括乙酸乙酯和甲苯。

10.如权利要求1所述的一种散热缓冲膜，其特征在于：步骤(3)中所述涂布速度为9m/min，所述六节烘箱的温度为50℃/80℃/110℃/110℃/90℃/60℃，烘干后的网格胶层的厚度为15µm。