[发明专利]像素电路

权利要求书

1.一种像素电路，所述像素电路包括：

有机发光元件；

开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；

存储电容器，被配置为存储当所述开关晶体管响应于所述扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；

驱动晶体管，被配置为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；

发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；以及

多个同步晶体管，电连接到所述驱动晶体管的底部金属电极，

其中：

所述多个同步晶体管包括：

第一同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的源电极、所述驱动晶体管的栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第一者；以及

第二同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的所述源电极、所述驱动晶体管的所述栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第二者；并且

所述第二者与所述第一者不同。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其中：

当所述第一同步晶体管导通时，所述第二同步晶体管截止；并且

当所述第二同步晶体管导通时，所述第一同步晶体管截止。

3.一种像素电路，所述像素电路包括：

有机发光元件；

开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；

存储电容器，被配置为存储当所述开关晶体管响应于所述扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；

驱动晶体管，被配置为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；

发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；

源极同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的源电极与所述驱动晶体管的底部金属电极之间，并且被配置为响应于源极同步控制信号而导通或截止；以及

栅极同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的栅电极与所述驱动晶体管的所述底部金属电极之间，并且被配置为响应于栅极同步控制信号而导通或截止。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其中：

所述驱动晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，并且

当所述源极同步晶体管响应于所述源极同步控制信号而导通时，所述驱动晶体管的阈值电压沿负方向偏移。

5.根据权利要求4所述的像素电路，其中：

在需要减小流入所述有机发光元件中的所述驱动电流的第一时段期间，激活所述源极同步控制信号；并且

所述源极同步晶体管在所述第一时段期间导通，以允许所述驱动晶体管的所述源电极的源极电压施加到所述驱动晶体管的所述底部金属电极。

6.根据权利要求3所述的像素电路，其中：

所述驱动晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管；并且

当所述栅极同步晶体管响应于所述栅极同步控制信号而导通时，所述驱动晶体管的阈值电压沿正方向偏移。

7.根据权利要求6所述的像素电路，其中：

在需要增大流入所述有机发光元件中的所述驱动电流时的第二时段期间，激活所述栅极同步控制信号；并且

所述栅极同步晶体管在所述第二时段期间导通，以允许所述驱动晶体管的所述栅电极的栅极电压施加到所述驱动晶体管的所述底部金属电极。

8.根据权利要求3所述的像素电路，所述像素电路还包括：恒压同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的所述底部金属电极与恒压供应线之间，并且被配置为响应于恒压同步控制信号而导通或截止。