[发明专利]柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法

权利要求书

1.柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括：，

步骤100：提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；

步骤200：通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜；

步骤300：采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；

其特征在于；

步骤200中，沉积温度为25-150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5-16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm-1000nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的折射率为1.75-2.2。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底是高分子聚合材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤100中，所述高分子聚合材料是SU-8树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅烷、聚乙烯或苯并环丁烯等。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤100中，在所述衬底上旋涂所述高分子聚合材料，在前烘温度50-120℃下形成所述柔性基底，前烘时间1-30分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底厚度为1-

1000μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底或玻璃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅气源是硅烷，所述氮气源是氨气或氮气。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤200中，所述流量比均匀变化。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤200中，所述流量比阶梯变化。