[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法有效
申请号: | 202010052240.1 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN111508912B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | A.V.高达;S.S.乔汉;P.A.麦康奈利 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/433;H01L23/495;H01L23/538;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 危凯权;王丽辉 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 覆盖 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种用于功率覆盖结构的模块,包括:
介电层;
第一构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述第一构件的第一表面附接到所述介电层;
至少一个另外的构件,其具有限定在其第一表面和第二表面之间的高度,其中,所述至少一个另外的构件的第一表面附接到所述介电层;和
传导垫片组件,其具有顶表面、底表面和至少一个传导接触层,其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述第一构件的第二表面,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分经由所述至少一个传导接触层耦联到所述至少一个另外的构件的第二表面;
其中,所述传导垫片组件的底表面的第一部分定位在所述模块内的第一高度处,且所述传导垫片组件的底表面的第二部分定位在所述模块内的第二高度处,所述第一高度不同于所述第二高度;并且
其中,所述至少一个传导接触层中的仅一个传导接触层定位在所述传导垫片组件的顶表面与所述至少一个另外的构件的第二表面之间。
2.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件和所述至少一个另外的构件包括半导体装置。
3.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件的第一表面具有形成于其上的至少一个接触垫;并且
其中,所述至少一个另外的构件的第一表面具有形成于其上的至少一个接触垫。
4.根据权利要求3所述的模块,其特征在于,所述模块还包括金属互连结构,所述金属互连结构延伸穿过所述介电层并且电性地耦联到所述第一构件的所述至少一个接触垫和所述至少一个另外的构件的所述至少一个接触垫。
5.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述至少一个传导接触层中的仅一个传导接触层定位在所述传导垫片组件的顶表面与所述第一构件的第二表面之间。
6.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述传导垫片组件包括至少一个传导垫片,所述传导垫片具有导电元件;并且
其中,所述至少一个传导接触层耦联到所述至少一个传导垫片并且包括焊料材料、传导粘合剂和烧结的银层中的一者。
7.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述模块还包括耦联到所述传导垫片组件的顶表面的热界面。
8.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,所述热界面是导热的。
9.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,所述模块还包括:封装件,其在所述介电层与所述热界面之间的空间中围绕所述第一构件、所述至少一个另外的构件以及所述传导垫片组件定位。
10.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述至少一个另外的构件包括耦联到所述传导垫片组件的第二构件。
11.根据权利要求1所述的模块,其特征在于,所述第一构件包括第一半导体装置;
其中所述至少一个另外的构件包括:
第二半导体装置,其耦联到所述传导垫片组件的底表面的第二部分;和
第三半导体装置,其耦联到所述传导垫片组件的底表面的第三部分;并且
其中,所述第一半导体装置、所述第二半导体装置和所述第三半导体装置具有不同的高度。
12.根据权利要求11所述的模块,其特征在于,所述传导垫片组件包括:
第一传导垫片,其耦联到所述第一半导体装置;
第二传导垫片,其耦联到所述第二半导体装置和所述第一传导垫片;和
第三传导垫片,其耦联到第三半导体装置和所述第一传导垫片;
其中,所述第二传导垫片的厚度不同于第三传导垫片的厚度。
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