[发明专利]一种有序共轭高分子材料的合成方法

权利要求书

1.一种有序共轭高分子材料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

将挥发性单体在表面结合有氧化剂的微腔结构内进行原位蒸汽聚合反应，得到位于微腔结构内的所述有序共轭高分子材料。

2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述表面结合有氧化剂的微腔结构具有封闭或半封闭的结构。

3.根据权利要求2所述的合成方法，其特征在于，所述表面结合有氧化剂的微腔结构选自表面结合有氧化剂的带有微孔的二维材料泡沫、具有孔隙的金属有机框架材料、密封或半密封的聚合物微腔、具有分子链间孔隙的聚合物、具有分子链间空隙的溶胀后的聚合物、由聚合物颗粒堆叠形成的微腔。

4.根据权利要求3所述的合成方法，其特征在于，所述表面结合有氧化剂的带有微孔的二维材料泡沫的制备包括如下步骤：

将包含氧化剂的二维材料的水分散液施加在置于液氮气氛的基底上，得到位于基底上的二维材料的阵列；

将所述阵列冷冻至冰点以下，再冷冻干燥，得所述表面结合有氧化剂的带有微孔的二维材料泡沫。

5.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于，所述将所述阵列冷冻至冰点以下，再冷冻干燥的方法包括如下步骤：

将所述阵列在-70～-90℃温度冷冻2小时，再在-60～-65℃温度冷冻干燥40小时，得所述表面结合有氧化剂的带有微孔的二维材料泡沫。

6.根据权利要求3或4所述的合成方法，其特征在于，所述二维材料为单质类二维材料、金属硫族化合物二维材料、二维黏土类二维材料中的一种或几种。

7.根据权利要求6所述的合成方法，其特征在于，所述单质类二维材料选自石墨烯、氧化石墨烯、硅烯、石墨炔、锑烯中的一种或几种。

8.根据权利要求6所述的合成方法，其特征在于，所述金属硫族化合物二维材料为过渡金属硫簇化合物二维材料。

9.根据权利要求8所述的合成方法，其特征在于，所述过渡金属硫簇化合物二维材料选自二硫化钼、二硫化锡、二硫化铼、二硒化钼中的一种或几种。

10.根据权利要求6所述的合成方法，其特征在于，所述二维黏土类二维材料为Ti₃C₂T_X。

11.根据权利要求1或4所述的合成方法，其特征在于，所述氧化剂选自氯化铁、过硫酸铵、氯化铝、三氯化钼、三氯化钌、过氧乙酸、过氧化氢、高锰酸钾中的一种或几种。

12.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于，所述水分散液中，氧化剂的浓度为0.0005-1M。

13.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述挥发性单体选自吡咯、噻吩、苯胺、3,4-乙烯二氧噻吩、3-甲氧基噻吩、3-己基噻吩中的一种或几种。

14.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述聚合反应的时间为1小时-100天。

15.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述聚合反应的时间为1-110小时。

16.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述聚合反应的时间为1-12小时。

17.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述聚合反应的时间为6-12小时。

18.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述方法还包括将所述有序共轭高分子材料从微腔结构中分离的步骤。