[发明专利]三维阻变式随机读取存储器

权利要求书

1.一种三维阻变式随机读取存储器（3D-RRAM），其特征在于含有：

一半导体衬底(0)；

一堆叠在所述半导体衬底(0)上方、并含有多条数据字线(20a-20z)和多条数据位线(30a-30z)的阻变式随机读取存储（RRAM）阵列(0A)；

一条与所述数据字线(20a-20z)平行的哑字线(20D)；

一条与所述数据位线(30a-30z)平行的哑位线(31b)；

一位于在所述哑字线(20D)和所述哑位线(31b)交叉处的哑存储元(1D1)，所述哑存储元(1D1)已编程；

位于所述数据字线(20a-20z)和所述哑位线(31b)交叉处的所有哑存储元(1a1-1z1)均未编程；位于所述哑字线(20D)和所述数据位线(30a-30z)交叉处的所有哑存储元(1Da-1Dz)均未编程。

2.一种三维阻变式随机读取存储器（3D-RRAM），其特征在于含有：

一半导体衬底(0)；

一堆叠在所述半导体衬底(0)上方、并含有多条数据字线(20a-20z)和多条数据位线(30a-30z)的阻变式随机读取存储（RRAM）阵列(0A)；

一条与所述数据字线(20a-20z)平行的哑字线(20D)，位于所述哑字线(20D)和所述数据位线(30a-30z)交叉处的所有哑存储元(1Da-1Dz)均未编程；

在读过程中，所述哑字线(20D)上的电压升高，所述多条数据字线(20a-20z)中被选中的一条数据字线(20a)上的电压也升高。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征还在于含有：一差分读出放大器(58a,58D)，所述差分读出放大器(58a, 58D)的一个输入(53a, 53)与所述哑位线(31b)耦合。

4.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征还在于含有：一条与所述数据位线(30a-30z)平行的第二哑位线(31a)。

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征还在于含有：一位于在所述哑字线(20D)和所述第二哑位线(31a)交叉处的第二哑存储元(1D0)，所述第二哑存储元(1D0)未编程。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征还在于含有：一差分读出放大器(58a, 58D)，所述差分读出放大器(58a, 58D)的一个输入(53a, 53)与所述哑位线(31b)和所述第二哑位线(31a)耦合。

7.根据权利要求4所述的存储器，其特征还在于含有：一条与所述数据位线(30a-30z)平行的第三哑位线(31d)；一位于在所述哑字线(20D)和所述第三哑位线(31d)交叉处的第三哑存储元(1D3)，所述第三哑存储元(1D3)已编程，其电阻与所述哑存储元(1D1)不同。