[发明专利]一种具有环形沟道区的MOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有环形沟道区的MOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：提供一基板，在基板的表面形成源极和漏极；

步骤2：在源极和漏极之间外延生长沟道材料，形成沟道区；

步骤3：沿源极至漏极方向，在沟道区表面刻蚀、外延沟道材料形成沟道，沟道的侧壁和底部为沟道功能区；

步骤4：在沟道内形成栅极，抛光漏出源极和漏极，得到具有环形沟道区的MOS器件；

所述具有环形沟道区的MOS器件包括源极、漏极、栅极和沟道区，所述漏极位于源极外围，所述沟道区位于源极和漏极之间，所述沟道区的形状为环形；

沿源极至漏极方向，所述沟道区表面开设多个沟道，所述沟道的侧壁和底部为沟道功能区，所述栅极位于沟道内；

所述步骤1包括如下步骤：

步骤11：提供一基板，在基板上形成表面层；

步骤12：对表面层进行掺杂和退火，得到掺杂退火后的表面层；

步骤13：对掺杂退火后的表面层进行干法刻蚀工艺形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的具有环形沟道区的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述沟道区与源极之间、沟道区与漏极之间分别设有轻掺杂漏区时，所述步骤1与步骤2之间还包括如下步骤：

在源极和漏极之间沉积轻掺杂层，采用回刻工艺形成轻掺杂漏区。

3.根据权利要求1所述的具有环形沟道区的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述沟道与栅极之间设有界面氧化层和栅极电介质层时，所述步骤3和步骤4之间还包括如下步骤：

在沟道区内依次生长界面氧化层和栅极电介质层，通过抛光的方法将表面磨平。

4.根据权利要求3所述的具有环形沟道区的MOS器件的制备方法，其特征在于，在生长栅极电介质层之后、步骤4之前还包括如下步骤：真空退火。

5.根据权利要求1所述的具有环形沟道区的MOS器件的制备方法，其特征在于，所述沟道区的形状为圆环形，所述沟道沿圆环形的沟道区的径向设置。