[发明专利]热介质的控制方法和热介质控制装置在审
申请号: | 202010053082.1 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111489985A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 小林启;有田毅彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 控制 方法 装置 | ||
1.一种热介质的控制方法,包括以下工序:
流量控制工序,在从供给被进行了温度控制的热介质的温度控制部向在与温度控制对象物进行热交换的热交换构件形成的流路内供给热介质的状态下,降低所述热介质的流量;以及
供给停止工序,通过控制在将所述温度控制部与所述热交换构件的所述流路连接的供给配管设置的供给阀,来使所述热介质向所述流路内的供给停止。
2.根据权利要求1所述的热介质的控制方法,其特征在于,
在所述流量控制工序中,通过将设置于旁通配管的旁通阀打开来降低向所述流路内供给的所述热介质的流量,所述旁通配管设置于所述供给配管与返回配管之间,所述返回配管将所述温度控制部与所述热交换构件的所述流路连接且用于使经由所述供给配管供给至所述热交换构件的所述流路的所述热介质返回所述温度控制部。
3.根据权利要求2所述的热介质的控制方法,其特征在于,
还包括判定工序,在该判定工序中,使用检测所述旁通阀的打开的传感器来判定所述旁通阀是否已打开,
当在所述判定工序中检测到所述旁通阀已打开之后,执行所述供给停止工序。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的热介质的控制方法,其特征在于,
在所述流量控制工序中,通过降低从所述温度控制部输出的所述热介质的流量,来降低向所述流路内供给的所述热介质的流量。
5.一种热介质的控制方法,是热介质控制装置中的热介质的控制方法,
所述热介质控制装置具备:
第一供给配管,其用于从供给第一热介质的第一温度控制部向在与温度控制对象物进行热交换的热交换构件形成的流路内供给所述第一热介质,所述第一热介质是温度被控制为第一温度的流体;
第一返回配管,其用于使从所述流路内流过的热介质返回所述第一温度控制部;
第二供给配管,其与所述第一供给配管连接,用于从供给第二热介质的第二温度控制部向在所述热交换构件形成的所述流路内供给所述第二热介质,所述第二热介质是温度被控制为与所述第一温度不同的第二温度的流体;
第二返回配管,其与所述第一返回配管连接,用于使从所述流路内流过的热介质返回所述第二温度控制部;
第一切换部,其设置于所述第一供给配管与所述第二供给配管的连接部分,将向所述流路内供给的热介质切换为所述第一热介质或所述第二热介质;以及
第二切换部,其设置于所述第一返回配管与所述第二返回配管的连接部分,将从所述流路内流出的热介质的输出目的地切换为所述第一温度控制部或所述第二温度控制部,
所述热介质的控制方法包括以下工序:
流量控制工序,在从所述第一温度控制部向所述流路内供给所述第一热介质的状态下,降低所述第一热介质的流量;以及
切换工序,通过所述第一切换部和所述第二切换部来将在所述流路内流动的热介质从所述第一热介质切换为所述第二热介质。
6.根据权利要求5所述的热介质的控制方法,其特征在于,
所述热介质控制装置具备:
旁通配管,其将所述第一供给配管的比所述第一供给配管与所述第二供给配管的连接部分更靠所述第一温度控制部侧的部分同所述第一返回配管的比所述第一返回配管与所述第二返回配管的连接部分更靠所述第一温度控制部侧的部分连接;以及
旁通阀,其设置于所述旁通配管,
在所述流量控制工序中,通过将所述旁通阀打开来降低向所述流路内供给的所述第一热介质的流量。
7.根据权利要求6所述的热介质的控制方法,其特征在于,
还包括判定工序,在该判定工序中,使用检测所述旁通阀的打开的传感器来判定所述旁通阀是否已打开,
当在所述判定工序中检测到所述旁通阀已打开之后,执行所述切换工序。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的热介质的控制方法,其特征在于,
在所述流量控制工序中,
通过降低从所述第一温度控制部输出的第一热介质的流量,来降低向所述流路内供给的所述第一热介质的流量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造