[发明专利]将功率可用性信息提供到存储器

说明书

本公开涉及将功率可用性信息提供到存储器。数个实施例包含存储器及控制器。所述控制器经配置以将功率及功率可用性信息提供到所述存储器，且所述存储器经配置以至少部分基于所述功率可用性信息来确定是否调整其操作。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2005年5月14日、申请号为201580028169.0、发明名称为“将功率可用性信息提供到存储器”的发明专利申请案。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定地说，涉及将功率可用性信息提供到存储器。

背景技术

通常提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可装卸式装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未被供电时保持所存储数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻性随机存取存储器(MRAM)等。

存储器装置可组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。SSD可包含非易失性(例如，NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、嵌入式多媒体卡(eMMC)存储器、通用快闪存储(UFS)存储器及/或无线存储器)及/或可包含易失性存储器(例如，DRAM及/或SRAM)以及各种其它类型的非易失性及易失性存储器。快闪存储器装置可包含将数据存储在电荷存储结构(例如(例如)浮动栅极)中的存储器单元，且可用作各种电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置可使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。

可将阵列架构中的存储器单元编程为目标(例如，所需)状态。例如，可将电荷放置在存储器的单元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从其中移除电荷以将单元编程为特定数据状态。存储器单元的电荷存储结构上的所存储电荷可指示单元的阈值电压(Vt)且可通过感测存储器单元的电荷存储结构上的所存储电荷(例如，Vt)来确定所述单元的状态(例如，数据状态)。

存储器在操作时(例如在对存储器的单元执行的编程、感测及/或擦除操作期间)可消耗功率(例如，经调节电压供应下的电流)。此功率可由例如主机提供到存储器。然而，存储器无法知晓主机可提供多少功率(例如，最大功率量)到存储器，且因此存储器无法知晓其将是否具有足够多功率来维持其当前操作。如果存储器在操作期间的功率消耗超过可由主机提供的功率量，那么存储器的操作可能失败。

发明内容

本申请的一个方面涉及一种方法。该方法包括：在存储器装置(104)处接收来自主机(102)的信令；至少部分地基于来自所述主机(102)的所述信令，识别提供到所述存储器装置(104)的功率正在被关断的指示；至少部分地基于提供到所述存储器装置(104)的功率正在被关断的所述指示，确定所述存储器装置(104)在当前操作条件下能够继续操作持续的时间量，其中所述时间量为无限制时间量、小于所述无限制时间量的第一时间量、小于所述第一时间量的第二时间量或小于所述第二时间量的第三时间量；及至少部分地基于提供到所述存储器装置(104)的所述功率正在被关断的所述指示，在所述当前操作条件下操作所述存储器装置(104)达所述时间量。