[发明专利]注入机角度监控方法

权利要求书

1.一种注入机角度监控方法，其特征在于，包括如下：

步骤一、提供测试晶圆；

如果所述测试晶圆晶圆为新晶圆，则进行后续步骤三；

如果所述测试晶圆为已用晶圆，则进行后续步骤二，所述已用晶圆为已经进行过注入机角度监控测试的晶圆且所述已用晶圆的表面形成有用于注入机角度监控的注入杂质；

步骤二、对所述测试晶圆进行去除注入杂质的处理工艺，之后进行后续步骤三；

步骤三、采用所述测试晶圆进行所述注入机角度监控测试。

2.如权利要求1所述的注入机角度监控方法，其特征在于：所述测试晶圆的材料为单晶硅。

3.如权利要求2所述的注入机角度监控方法，其特征在于：所述测试晶圆的正面为(110)晶面。

4.如权利要求2所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤二中的处理工艺包括如下分步骤：

步骤21、采用湿氧工艺在所述测试晶圆表面形成氧化层，所述氧化层的厚度要求将所述注入杂质的深度范围内的硅材料全部氧化，使所述注入杂质位于所述氧化层中；

步骤22、去除所述氧化层，以去除所述注入杂质。

5.如权利要求4所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤22中采用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层。

6.如权利要求5所述的注入机角度监控方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液采用稀释氢氟酸。

7.如权利要求1所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤三中所述注入机角度监控测试得到V型曲线，通过所述V型曲线监控测试结果是否合格。

8.如权利要求7所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤一中需要提供五片所述测试晶圆，以得到所述V型曲线所需要的5个测试点。

9.如权利要求8所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤三包括如下分步骤：

步骤31、设定所要监控的所述注入机的注入角度；

步骤32、设置各所述测试晶圆的偏转角度；

步骤33、依次对各偏转角度下的所述测试晶圆进行离子注入；

步骤34、对离子注入后的各所述测试晶圆进行热波测试并得到对应的热波值；

步骤35、根据各所述测试晶圆得到的热波值形成以所述偏置角度为横坐标以及以所述热波值为纵坐标的V型曲线。

10.如权利要求9所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤31中的注入角度为0度。

11.如权利要求9所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤32中的五片所述测试晶圆对应的偏转角度分别为-1°、-0.5°、0°、0.5°和1°。

12.如权利要求11所述的注入机角度监控方法，其特征在于：步骤35中还包括对所述V型曲线进行拟合并得到所述V型曲线的对称轴的步骤。

13.如权利要求12所述的注入机角度监控方法，其特征在于：所述对称轴和横坐标为0°的Y轴之间的偏移量为所述注入角度的偏差量。

14.如权利要求13所述的注入机角度监控方法，其特征在于：如果所述注入角度的偏差量在合格范围内，则所述V型曲线监控测试结果合格。

15.如权利要求13所述的注入机角度监控方法，其特征在于：如果所述注入角度的偏差量超出合格范围，则所述V型曲线监控测试结果为不合格；

所述V型曲线监控测试结果不合格时，则调整所述注入机的注入角度，之后重复步骤一至步骤三，直至所述V型曲线监控测试结果合格。