[发明专利]一种触控面板及其制备方法、触控显示装置有效
申请号: | 202010053361.8 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111261679B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 何帆;董向丹;马宏伟;颜俊;仝可蒙;樊聪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种触控面板,其特征在于,包括:
承载面板,所述承载面板划分为弯折区和非弯折区;
多个触控电极和多条触控引线,所述触控引线与所述触控电极设置在所述承载面板上且相互电连接;
其中,多条所述触控引线中对应于所述弯折区的部分为单层金属线,多条所述触控引线中对应于所述非弯折区的部分中的至少一部分为双层金属线。
2.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,多条所述触控引线中对应于所述非弯折区的部分全部为所述双层金属线。
3.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,多个所述触控电极包括多个第一触控电极和多个第二触控电极,所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉设置,且相互绝缘;
或者,
多个触控电极呈阵列分布,每条所述触控引线与一个所述触控电极连接。
4.根据权利要求3所述的触控面板,其特征在于,所述第一触控电极为一体结构;所述第二触控电极包括由多个所述第一触控电极间隔开的多个触控子电极以及多个连接部;
所述触控面板还包括:绝缘层,所述绝缘层上具有第一过孔;
其中,所述第一触控电极和所述触控子电极同层设置,且与所述连接部位于所述绝缘层的两侧。
5.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述第二触控电极中相邻两个所述触控子电极之间通过所述绝缘层上的第一过孔与连接部电连接。
6.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述第一触控电极和所述触控子电极均为金属网格结构。
7.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述双层金属线包括第一金属线和第二金属线;所述第一金属线与所述第一触控电极同层设置,所述第二金属线与所述连接部同层设置;
和/或,
所述单层金属线与所述第一触控电极或与所述连接部同层设置。
8.根据权利要求7所述的触控面板,其特征在于,所述第一金属线和所述第二金属线位于所述绝缘层的两侧,所述绝缘层上还具有第二过孔,所述第一金属线与所述第二金属线通过所述绝缘层上的第二过孔连接。
9.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述弯折区位于所述触控面板的中部或边缘。
10.一种触控显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的触控面板。
11.一种触控面板的制备方法,其特征在于,包括:
在承载面板上形成多个触控电极和多条触控引线,所述触控引线与所述触控电极相互电连接;
其中,所述承载面板划分为弯折区和非弯折区,多条所述触控引线中对应于弯折区的部分为单层金属线,多条所述触控引线中对应于非弯折区的部分中的至少一部分为双层金属线。
12.根据权利要求11所述的触控面板的制备方法,其特征在于,在所述承载面板上形成多个所述触控电极和多条所述触控引线包括:
形成第一金属薄膜,将所述第一金属薄膜图案化形成第一金属图案层,所述第一金属图案层包括:多个第一触控电极、多个触控子电极以及多条第一金属线;所述第一触控电极为一体结构,多个所述触控子电极阵列分布;
形成绝缘层;所述绝缘层上具有第一过孔和第二过孔;
形成第二金属薄膜,将所述第二金属薄膜图案化形成第二金属图案层,所述第二金属图案层包括:连接部和第二金属线;所述连接部用于将相邻两个所述触控子电极通过所述第一过孔连接,所述连接部与所述第一触控电极具有交叉区域;所述第一金属线和所述第二金属线通过所述第二过孔连接形成所述双层金属线;
所述第一金属图案层或第二金属图案层还包括:所述单层金属线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010053361.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的