[发明专利]一种旋转结构的制备方法以及旋转结构

权利要求书

1.一种旋转结构的制备方法，其特征在于，包括：

采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，所述第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面，所述第一表面和第二表面相对设置；

采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构包括：

提供第一硅衬底，所述第一表面和所述第一硅衬底的（111）晶面呈第一夹角；

在所述第一表面和所述第二表面生长第一氧化层；

去除所述第一表面一侧的部分所述第一氧化层；

对所述第一表面进行湿法腐蚀，暴露出部分所述（111）晶面，得到所述第一斜坡凹槽，所述第一斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面；

去除所述第一表面上剩余的所述第一氧化层以及所述第二表面上的第一氧化层；

在所述第二表面、所述第一表面侧的第一斜坡凹槽的斜坡面以及所述第一表面生长第二氧化层；

去除预设区域内，所述第一表面侧的第一斜坡凹槽的斜坡面以及所述第一表面侧的第二氧化层；

在所述第二氧化层远离所述第一表面一侧的表面制备键合层，得到第一半导体结构；

制备第二半导体结构，所述第二半导体结构包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元；

制备第二半导体结构，所述第二半导体结构包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元包括：

提供第二硅衬底，所述第二硅衬底包括相对设置的第三表面和与所述第三表面相对设置的第四表面，所述第三表面和所述第二硅衬底的（111）晶面呈第二夹角；

在所述第三表面和所述第四表面生长第三氧化层；

去除所述第三表面一侧的部分所述第三氧化层；

对所述第三表面进行湿法腐蚀，暴露出部分所述（111）晶面，得到第二斜坡凹槽，所述第二斜坡凹槽的斜坡面为（111）晶面；

除去所述第三表面上剩余的所述第三氧化层以及所述第四表面上的第三氧化层；

在所述第三表面、所述第二斜坡凹槽的斜坡面以及所述第四表面生长第四氧化层；

在所述第二斜坡凹槽的斜坡面以及所述第二斜坡凹槽的第一侧的第三表面制备第一电极连接层，在所述第二斜坡凹槽的第二侧的第三表面制备第二电极连接层，所述第二斜坡凹槽位于第二斜坡凹槽的第一侧的第三表面与所述第二斜坡凹槽的第二侧的第三表面之间，所述第一电极连接层与所述第二电极连接层绝缘设置，得到第二半导体结构；

采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第一表面设置在所述第二半导体结构的独立设置的所述第一下电极连接单元和所述第二下电极连接单元之上；

在所述第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；

在所述第一半导体结构背离所述第一表面侧的表面制备上电极，在所述第二半导体结构上制备第一下电极和第二下电极，所述上电极与所述可旋转单元电连接，所述第一下电极与所述第一下电极连接单元电连接，所述第二下电极与所述第二下电极连接单元电连接。

2.根据权利要求1所述的旋转结构的制备方法，其特征在于，所述（111）晶面偏向（001）晶面为正角度，偏离（001）晶面为负角度，所述第一夹角满足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；所述第二夹角满足大于或等于-35.3°，且小于或等于0°，或者大于0°且小于或等于54.7°；

所述第一斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为θ，其中θ大于0°，且小于或等于90°；所述第二斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为φ大于0°，且小于或等于90°；所述第一斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为所述第一斜坡凹槽的斜坡面与水平方向的夹角，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的倾斜角为所述第二斜坡凹槽的斜坡面与水平方向的夹角。

3.根据权利要求1所述的旋转结构的制备方法，其特征在于，采用键合工艺，将所述第一半导体结构的第一表面设置在所述第二半导体结构的独立设置的所述第一下电极连接单元和所述第二下电极连接单元之上包括：

采用共晶键合工艺，将所述第一硅衬底的第一表面位于所述第二硅衬底的第三表面侧之上，其中，所述第二斜坡凹槽的斜坡面的脊线与所述第一斜坡凹槽的斜坡面的脊线平行，且所述第二斜坡凹槽的斜坡面与所述第一斜坡凹槽的斜坡面位于同一平面。